[发明专利]晶片刻蚀机的操作方法无效

专利信息
申请号: 01123129.7 申请日: 2001-07-16
公开(公告)号: CN1396634A 公开(公告)日: 2003-02-12
发明(设计)人: 梁明中;蔡信谊;余旭升;李俊鸿 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;C30B33/12
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波,杨梧
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 晶片 刻蚀 操作方法
【权利要求书】:

1.一种用于晶片刻蚀机的操作方法,该操作方法包括:

在一预热阶段对该晶片刻蚀机施加一第一功率以缩短该晶片刻蚀机的预热时间;

在一刻蚀阶段对该晶片刻蚀机施加一低于该第一功率的第二功率用以对一晶片进行刻蚀;以及

在一清洗阶段对该晶片刻蚀机施加一低于该第一功率且高于该第二功率的第三功率用以清洗该晶片刻蚀机。

2.根据权利要求1的操作方法,其中,该第一功率介于900~1000瓦。

3.根据权利要求1的操作方法,其中,该第二功率介于600~700瓦。

4.根据权利要求1的操作方法,其中,该第三功率介于700~900瓦。

5.根据权利要求1的操作方法,其中,在进入该刻蚀阶段前先进入该清洗阶段,以便在对该晶片进行刻蚀前先清洗该晶片刻蚀机。

6.根据权利要求1的操作方法,其中,先进入该预热阶段,才进入该清洗阶段和该刻蚀阶段。

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