[发明专利]各向同性粉末磁体材料,其制备方法及树脂粘结磁体

权利要求书

1、一种薄片状各向同性的SmFeN粉末磁体材料，其通过辊淬火熔融合金并且将这样所得合金粉渗氮形成磁体合金来制备；其特征在于，所述磁体合金具有下式所示的合金成分，以原子百分比计：

Sm_xFe_100－x－vN_v其中7≤x≤12，0.5≤v≤20；晶体结构是TbCu₇型，薄片的厚度为10～40μm。

2、一种薄片状各向同性的SmFeN粉末磁体材料，通过辊淬火熔融合金并且将这样所得合金粉渗氮形成磁体合金来制备，其特征在于，所述磁体合金具有下式所示的合金成分，以原子百分比计：

Sm_xFe_{100－x－y－v}M_y¹N_v其中M¹选自Hf和Zr中的至少一种；7≤x≤12，0.1≤y≤1.5，0.5≤v≤20；晶体结构是TbCu₇型，薄片的厚度为10～40μm。

3、一种薄片状各向同性的SmFeN粉末磁体材料，通过辊淬火熔融合金并且将这样所得合金粉渗氮形成磁体合金来制备，其特征在于，所述磁体合金具有下式所示的合金成分，以原子百分比计：

Sm_xFe_{100－x－z－v}M_z²N_v其中M²选自Si、Nb、Ti、Ga、Al、Ta和C中的至少一种；7≤x≤12，0.1≤z≤1.0，0.5≤v≤20；晶体结构是TbCu₇型；薄片的厚度为10～40μm。

4、根据权利要求1至3之一的粉末磁体材料，其中最多30at.％的Sm被Ce替代。

5、根据权利要求1至3之一的粉末磁体材料，其中最多30at.％的Sm被除Ce以外的稀土金属替代。

6、根据权利要求1至5之一的粉末磁体材料，其中最多35at.％的Fe被Co替代。

7、根据权利要求1至6之一的粉末磁体材料，其中材料的平均晶粒尺寸是10nm至0.5μm。

8、根据权利要求1至7之一的粉末磁体材料，其中磁粉具有7kOe或更高的内禀矫顽力。

9、一种制备权利要求1所述薄片状各向同性的SmFeN粉末磁体材料的方法，包括混合并熔化各合金组分以形成具有下式的合金成分的步骤，以原子百分比计：

Sm_xFe_100－x－vN_v

其中7≤x≤12，0.5≤v≤20；晶体结构是TbCu₇型；将熔融的合金加到一个或多个以30～45米/秒的圆周速度旋转的淬火辊上，对这样获得的薄片粉末在惰性气氛下在500～900℃的温度下退火；再对退火后的粉末渗氮处理。

10、一种制备权利要求2所述薄片状各向同性的SmFeN粉末磁体材料的方法，包括混合并熔化各合金组分以形成具有下式的合金成分的步骤，以原子百分比计：

Sm_xFe_{100－x－y－v}M_y¹N_v其中M¹选自Hf和Zr中的至少一种；7≤x≤12，0.1≤y≤1.5，0.5≤v≤20；晶体结构是TbCu₇型；将熔融的合金加到一个或多个以20～45米/秒的圆周速度旋转的淬火辊上，对这样获得的薄片粉末在惰性气氛下在500～900℃温度下退火，再对退火后的粉末渗氮处理。