[发明专利]倒装芯片型半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种倒装芯片型半导体装置，包括：

半导体芯片(1)，在它的一个表面上具有金属凸起(2)；

内插器基片(3)，在它的一个表面上具有焊盘电极(4)；

底部填充树脂层(5)，填充到在所述的半导体芯片1和内插器基片之间的所述金属凸起与所述焊盘电极接触的间隙中，

所述的底部填充树脂层中具有多个分散的空隙(V’)。

2.根据权利要求1的装置，其中所述分散的空隙处在半导体芯片的一侧上的所述底部填充树脂层的界面上。

3.一种制造倒装芯片形半导体装置的方法，包括步骤：

将底部填充树脂层(5)涂敷在其上具有焊盘电极(4)的内插器基片(3)上；

将具有金属凸起(2)的半导体芯片(1)安装在所述内插器基片上，使得所述金属凸起对着焊盘电极；和

在所述金属凸起接触所述底部填充树脂层之后和所述金属凸起接触所述焊盘电极之前，对所述半导体芯片进行超声波振动。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述超声波处理的步骤还在所述金属凸起接触所述焊盘电极后，进一步对所述半导体芯片进行所述超声波振动处理。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述金属凸起具有用于产生超声波振动的尖锐边缘，

所述方法还包括，在所述金属凸起与所述焊盘电极接触后，将所述半导体芯片相对于所述的内插器基片加压的步骤，使得所述金属凸起的尖锐边缘变形。

6.根据权利要求3所述的方法，还包括在所述金属凸起接触所述焊盘电极之后，对所述底部填充树脂层进行加热操作的步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述超声波处理的步骤还包括：在进行所述加热操作的同时，对所述半导体芯片进行所述超声波振动。