[发明专利]氮化物只读存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 01123714.7 | 申请日： | 2001-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1399331A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 宋建龙 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/112 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 只读存储器 及其 制造 方法 | ||
1.一种氮化物只读存储器的制造方法，至少包括：
提供一基材，其中该基材上形成有一氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；
形成一栅极覆盖该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构的一部分；
形成一隔离层覆盖该栅极与该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构的另一部分；
形成一间隙壁，其中该间隙壁位于该隔离层的侧壁；以及
形成一绝缘层覆盖该基材、该间隙壁、以及该隔离层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该栅极包括一多晶硅层以及一硅化金属层。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：形成该隔离层的步骤是采用一共形的沉积。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该隔离层的材料为一氧化硅。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该隔离层与该间隙壁构成一保护构造。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该间隙壁的材料为氮化硅。
7.一种氮化物只读存储器，至少包括：
一基材，其中该基材上形成有一氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；
一栅极位于部分的该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构上；
一隔离层位于该栅极以及该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构的另一部分上；
一间隙壁位于该隔离层的侧壁；以及
一绝缘层位于该基材、该间隙壁、以及该隔离层上。
8.根据权利要求7所述的氮化物只读存储器，其特征在于：该隔离层的形成是利用一共形的沉积步骤。
9.根据权利要求7所述的氮化物只读存储器，其特征在于：该隔离层的材料为一氧化硅。
10.根据权利要求7所述的氮化物只读存储器，其特征在于：该隔离层与该间隙壁构成一保护构造。
11.根据权利要求7所述的氮化物只读存储器，其特征在于：该间隙壁的材料为氮化硅。
12.一种氮化物只读存储器的制造方法，至少包括：
提供一基材，其中该基材上形成有一氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；
形成一栅极覆盖该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构的一部分；
形成多个隔离层覆盖该栅极与该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构的另一部分；
形成一间隙壁，其中该间隙壁位于该隔离层的侧壁；以及
形成一绝缘层覆盖该基材、该间隙壁、以及该隔离层。
13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于：形成该隔离层的步骤是采用一共形的沉积。
14.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于：该隔离层的材料是选自氧化硅，且该隔离层中相邻的任两层的材料成分不相同。
15.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于：该隔离层与该间隙壁构成一保护构造。
16.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于：且该间隙壁的材料为氮化硅。
17.一种氮化物只读存储器，至少包括：
一基材，其中该基材上形成有一氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；
一栅极位于部分的该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构上；
多个隔离层位于该栅极以及该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构的另一部分上；
一间隙壁位于该隔离层的侧壁；以及
一绝缘层位于该基材、该间隙壁、以及该隔离层上。
18.根据权利要求17所述的氮化物只读存储器，其特征在于：该隔离层的形成是利用一共形的沉积步骤。
19.根据权利要求17所述的氮化物只读存储器，其特征在于：该隔离层的材料是选自氧化硅，且该隔离层中相邻的任两层的材料成分不相同。
20.根据权利要求17所述的氮化物只读存储器，其特征在于：该隔离层与该间隙壁构成一保护构造。
21.根据权利要求17所述的氮化物只读存储器，其特征在于：该间隙壁的材料为氮化硅。
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