[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，它包含：

制作在半导体衬底上的半导体元件；

制作在半导体元件上的具有平坦的顶部表面的绝缘膜；以及

制作在绝缘膜上的电阻器。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中一部分电阻器被制作在制作半导体元件的区域中。

3.根据权利要求1或2的半导体器件，其中在电阻器上还提供有第二绝缘膜，且器件还包含：制作在第二绝缘膜中的接触孔；以及制作在接触孔中且连接电阻器的电极。

4.根据权利要求1的半导体器件，其中的器件包含包括电阻器作为结构元件的梯形电路。

5.根据权利要求1的半导体器件，其中的电阻器是选自Ni与Cr的混合物、CrSiO、CrSiN、CrSiON、a-FeSi、非晶硅、多晶硅、WSi、TiN、W、TaN、以及Mo与Si的混合物的物质。

6.根据权利要求1的半导体器件，其中的电阻器具有由Ti与TiN或Ti与WN组成的双层结构。

7.根据权利要求1的半导体器件，其中的电阻器的膜厚为50-4000，优选为100-1000，更优选为200-700。

8.根据权利要求1的半导体器件，其中的电阻器的电阻率为1-1MΩ/□，最好是1-50kΩ/□。

9.一种制造半导体器件的方法，它包括下列步骤：

在半导体衬底上制作半导体元件；

在半导体元件上形成绝缘膜；

整平绝缘膜的顶部表面；

在绝缘膜的顶部表面上制作电阻器膜；以及

对电阻器膜进行图形化并在半导体元件上制作电阻器。

10.一种制造半导体器件的方法，它包括下列步骤：

在半导体衬底上制作半导体元件；

在半导体元件上形成绝缘膜；

整平绝缘膜的顶部表面；

在绝缘膜的顶部表面上制作电阻器膜；

对电阻器膜进行图形化并在半导体元件上制作电阻器；以及

制作连接到电阻器二端部分的电极。

11.一种制造半导体器件的方法，它包括下列步骤：

在半导体衬底上制作半导体元件；

在半导体元件上形成绝缘膜；

整平绝缘膜的顶部表面；

在绝缘膜的顶部表面上制作电阻器膜；

在电阻器膜上形成保护膜，以便在稍后的步骤10中保护电阻器免受各向异性腐蚀的影响；

对电阻器膜和保护膜一起进行图形化，并在半导体元件顶部表面上制作配备有保护膜的电阻器；

制作用来腐蚀保护膜二端部分的掩模；

用掩模对保护膜的二端部分进行腐蚀，并暴露保护膜下方的电阻器二端部分；

清除掩模；以及

在被各向异性腐蚀从保护膜暴露出来的电阻器的二端部分上制作电极。

12.一种制造半导体器件的方法，它包括下列步骤：

在半导体衬底上制作半导体元件；

在半导体元件上形成第一绝缘膜；

整平第一绝缘膜的顶部表面；

在第一绝缘膜的顶部表面上制作电阻器膜；

对电阻器膜进行图形化，并在半导体元件上制作电阻器；

在电阻器上形成第二绝缘膜；

在第二绝缘膜中制作达及电阻器二端部分的侧表面部分的接触孔；以及

制作在接触孔内与电阻器二端部分的侧表面部分连接的电极。

13.一种制造半导体器件的方法，它包括下列步骤：

在半导体衬底上制作半导体元件；

在半导体元件上形成第一绝缘膜；

整平第一绝缘膜的顶部表面；

在第一绝缘膜的顶部表面上制作电阻器膜；

制作控制膜，以便控制电阻器膜上的腐蚀速度；

对电阻器膜和控制膜一起进行图形化，以便在半导体元件上制作顶部表面处配备有控制膜的电阻器；

在电阻器上形成比控制膜腐蚀更快的第二绝缘膜；

制作与第二绝缘膜和控制膜连通的达及电阻器二端部分的顶部表面部分的接触孔；以及

制作在接触孔内与电阻器二端部分的顶部表面部分连接的电极。