[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 01124865.3 申请日: 2001-06-28
公开(公告)号: CN1332476A 公开(公告)日: 2002-01-23
发明(设计)人: 山崎舜平;小山润 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/00 分类号: H01L27/00;H01L27/14;H01L21/70
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 梁永
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

形成在绝缘表面上的遮蔽膜;

形成在绝缘表面上以覆盖遮蔽膜的平面化绝缘膜;以及

为了与平面化绝缘膜接触而形成的半导体膜,

其特征在于遮蔽膜与半导体层叠加,并且平面化绝缘膜夹在它们之间、以及

在半导体层形成前,通过CMP对平面化绝缘膜抛光。

2.根据权利要求1所述的器件,其特征在于遮蔽膜的厚度是0.1μm到0.5μm。

3.根据权利要求1所述的器件,其特征在于遮蔽膜围绕其边缘呈锥形。

4.一种包括权利要求1的半导体器件的数码相机。

5.一种包括权利要求1的半导体器件的摄像机。

6.一种包括权利要求1的半导体器件的护目镜型显示器件。

7.一种包括权利要求1的半导体器件的音频系统。

8.一种包括权利要求1的半导体器件的笔记本个人计算机。

9.一种包括权利要求1的半导体器件的可移动信息终端。

10.一种包括权利要求1的半导体器件的DVD播放器。

11.一种半导体器件包括:

形成在绝缘表面的遮蔽膜;

形成在绝缘表面上以覆盖遮蔽膜的平面化绝缘膜;以及

包括有源层的薄膜晶体管,该晶体管与平面化绝缘膜接触,

其特征在于有源层具有沟道形成区,

遮蔽膜与整个沟道形成区叠加、并且平面化绝缘膜夹在它们之间;以及

在有源层形成前,通过CMP对平面化绝缘膜抛光。

12.根据权利要求11所述的器件,其特征在于遮蔽膜的厚度是0.1μm到0.5μm。

13.根据权利要求11所述的器件,其特征在于遮蔽膜围绕其边缘呈锥形。

14.一种包括权利要求11的半导体器件的数码相机。

15.一种包括权利要求11的半导体器件的摄像机。

16.一种包括权利要求11的半导体器件的护目镜型显示器件。

17.一种包括权利要求11的半导体器件的音频系统。

18.一种包括权利要求11的半导体器件的笔记本个人计算机。

19.一种包括权利要求11的半导体器件的可移动信息终端。

20.一种包括权利要求11的半导体器件的DVD播放器。

21.一种半导体器件包括:

形成在绝缘表面的低层电容布线;

形成在绝缘表面上以覆盖低层电容布线的平面化绝缘膜;以及

与平面化绝缘膜接触而形成的电容布线,

其特征在于低层电容布线与电容布线叠加、并且平面化绝缘膜夾在它们之间,以及

在电容布线形成前,通过CMP对平面化绝缘膜抛光。

22.根据权利要求21所述的器件,其特征在于低层电容布线的厚度是0.1μm到0.5μm。

23.根据权利要求21所述的器件,其特征在于低层电容布线围绕其边缘呈锥形。

24.根据权利要求21所述的器件,其特征在于平面化绝缘膜的厚度是0.5μm到1.5μm。

25.一种包括权利要求21的半导体器件的数码相机。

26.一种包括权利要求21的半导体器件的摄像机。

27.一种包括权利要求21的半导体器件的护目镜型显示器件。

28.一种包括权利要求21的半导体器件的音频系统。

29.一种包括权利要求21的半导体器件的笔记本个人计算机。

30.一种包括权利要求21的半导体器件的可移动信息终端。

31.一种包括权利要求21的半导体器件的DVD播放器。

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