[发明专利]荧光体薄膜及其制造方法,和EL板有效
| 申请号： | 01124890.4 | 申请日： | 2001-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1333321A | 公开（公告）日： | 2002-01-30 |
| 发明（设计）人： | 矢野义彦;大池智之 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/00 | 分类号： | C09K11/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光 薄膜 及其 制造 方法 el | ||
1、一种荧光体薄膜，其中母体材料以氧化物的碱土类铝酸盐为主成分，在该母体材料中含有硫，进而含有形成发光中心的元素。
2、根据权利要求1的荧光体薄膜，其中以下式AxAlOzSw∶Re表示，
其中Re表示稀土类元素、A表示从Mg、Ca、Sr和Ba中至少选出的一种元素，x＝1～5、y＝1～15、z＝3～30、w＝3～30。
3、根据权利要求1的荧光体薄膜，其特征是上述含有的硫元素和母体材料中氧元素的摩尔比率，以S/(S＋O)表示时为0.01～0.5。
4、根据权利要求2的荧光体薄膜，其特征是1.5≤y/x≤3.0。
5、根据权利要求4的荧光体薄膜，其特征是进而，S/(S＋O)＝0.7～0.9。
6、一种以下式表示的荧光体薄膜，
AxAlyOzSw∶Re
其中Re是稀土类元素、A表示从Mg、Ca、Sr和Ba中至少选择的一种元素，x＝1～5、y＝1～15、z＝3～30、w＝3～30，而且5≤y/x≤7。
7、根据权利要求1的荧光体薄膜，其特征是上述发光中心Re是Eu、Tb和Sm中任一种。
8、具有权利要求1荧光体薄膜的EL板。
9、一种权利要求1荧光体薄膜的制造方法，其特征是作为母体材料前躯体，形成含有硫和发光中心的硫化物薄膜后，在氧化环境气中进行退火处理，通入氧，得到荧光体薄膜。
10、一种荧光体薄膜的制造方法，其特征是利用蒸镀法形成权利要求1荧光体薄膜的制造方法，
在真空槽内至少配置硫化铝蒸发源和添加发光中心的碱土类硫化物蒸发源，通入氧气，
由这些蒸发源分别蒸发硫化铝和碱土类硫化物原料，在向基板上堆积时，各种原料物质与氧气结合得到薄膜。
11、一种荧光体薄膜的制造方法，其特征是利用蒸镀法，形成权利要求1荧光体薄膜的制造方法，
在真空槽内至少配置硫化铝蒸发源和添加发光中心的碱土类硫化物蒸发源，通入H2S气体，
由这些蒸发源分别蒸发硫化铝和碱土类硫化物原料，
在向基板上堆积时，各种原料物质与硫化氢气体结合，得到硫化物荧光体薄膜，
随后，在氧化环境气中进行退火处理。
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