[发明专利]一种形成闪存晶胞的方法有效
| 申请号： | 01125090.9 | 申请日： | 2001-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN1400656A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | 张炳一;刘婉懿;巫淑丽 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形成 闪存 晶胞 方法 | ||
1.一种形成一闪存晶胞的方法，其特征在于，所述方法至少包括：
提供一底材；
形成一第一多晶硅层在所述底材上；
形成一氮化层在所述第一多晶硅层上；
移除部分所述氮化层和所述第一多晶硅层以形成数个洞并暴露出所述底材；
形成一隔离介电质在所述些洞内，其中所述隔离介电质在所述些洞的一侧壁处呈现凸起状，且所述隔离介电质高于所述第一多晶硅层；
移除在所述第一多晶硅层上的所述氮化层；以及
正形地形成一第二多晶硅层在所述第一多晶硅层和所述隔离介电质上。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第一多晶硅层是使用一沉积程序形成。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的氮化层是使用一沉积程序形成。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的氮化层的材质是为氮化硅。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述隔离介电质的步骤至少包含下列步骤：
正形地沉积一介电层在所述氮化层和所述底材上；
使用一溅击程序移除部分所述介电层并暴露出部分所述氮化层；以及
移除在所述氮化层上的所述介电层。
6..如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述的介电层是使用一化学气相沉积法形成。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述的介电层是使用一高密度等离子体化学气相沉积法形成。
8..如权利要求5所述的方法，其特征在于，移除在所述氮化层上的所述介电层的步骤至少包含下列步骤：
形成一屏蔽覆盖住在所述些洞内的所述介电层；
使用一湿蚀刻程序移除在所述氮化层上的所述介电层；以及
移除所述屏蔽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
