[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1、半导体集成电路装置，包括：

第1存储体和第2存储体，其特征在于：

所述第1存储体根据时钟接受第1存储体选择信号或第2存储体选择信号，

所述第2存储体根据时钟接受第3存储体选择信号或第4存储体选择信号，

所述第1和第3存储体选择信号或者所述第2和第4存储体选择信号禁止在同一预定时钟周期内进行输入，以及

所述第1和第4存储体选择信号或者所述第2和第3存储体选择信号可以在同一预定时钟周期内进行输入。

2、权利要求1的半导体集成电路装置，其特征在于：所述第1和第2存储体的每一个都具有多条位线、多条字线和配置在它们之间的交点上的多个存储单元，

所述第1和第3存储体选择信号都是与行有关的用来选择字线的存储体选择信号，所述第2和第4存储体选择信号都是与列有关的用来选择位线的存储体选择信号。

3、权利要求2的半导体集成电路装置，其特征在于：所述多个存储单元的每一个都是具有一个晶体管和一个电容器的DRAM型存储单元。

4、半导体集成电路装置，包括：

第1存储体和第2存储体，其特征在于：

所述第1和第2存储体的每一个都采用根据时钟接受存储体激活指令或者数据读出指令的办法来进行动作，以及

所述第1存储体的存储体激活指令和所述第2存储体的数据读出指令可以在同一预定时钟周期内输入。

5、权利要求4的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第1和第2存储体的每一个都具有多条位线、多条字线、配置在它们之间的交点上的多个存储单元和各自耦合到对应的所述多条位线之一的多个读出放大器，

所述第1存储体的存储体激活指令指示进行所述第1存储体的所述多个读出放大器保持从通过所述多条字线之一选择的存储单元中所读出的数据的动作，以及

所述第2存储体的读出指令指示进行所选出的数据从所述多个读出放大器读出到所述第2存储体外的动作。

6、权利要求5的半导体集成电路装置，其特征在于：所述多个存储单元的每一个都是具有一个晶体管和一个电容器的DRAM型存储单元。

7、半导体集成电路装置，包括：

第1存储体和第2存储体，其特征在于：

所述第1和第2存储体的每一个都采用根据时钟接受行地址或者列地址的办法来进行动作，以及

所述第1存储体的行地址和所述第2存储体的列地址可以在同一预定时钟周期内输入。

8、权利要求7的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第1和第2存储体的每一个都具有多条位线、多条字线和配置在它们之间的交点上的多个存储单元，

所述第1存储体行地址的输入指示进行选择所述多条字线之一的动作，以及

所述第2存储体列地址的输入指示进行选择所述多条位线之一的动作。

9、权利要求2的半导体集成电路装置，其特征在于：所述多个存储单元的每一个都是具有一个晶体管和一个电容器的DRAM型存储单元。