[发明专利]用于显示设备的电流控制电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于一显示设备的一电流控制电路，具体地说，涉及一种基于高电压设备的无源型电流控制电路。

背景技术

近来，平面显示器市场高速发展。

由最初的液晶显示(LCD)发展而来的平面显示颇受关注。近几十年来普遍运用于显示领域的阴极射线管(CRT)最近已被诸如等离子体显示板(PDP)、可视荧光显示器(VFD)、场发射显示器(FED)、发光二极管(LED)以及电致发光(EL)的平面显示器替代。

近来，有两种驱动显示设备的方法。一种是在简单矩阵中使用的无源型驱动方法。另一种是在薄膜晶体管(TFT)-LCD中使用的有源型驱动方法。有源型驱动方法属电压驱动型，主要用于PDP和VFD。无源型驱动方法属电流驱动型，主要用于FED、LED和EL。

简单矩阵型的显示设备在扫描模式下被驱动。然而，由于显示设备具有一个有限的扫描导通时间，所以，为获得所需的亮度，需要一个高电压。

其间，TFT-LCD包括由多个选通线、多个数据线和多个位于选通线和数据线之间交叉点上的象素组成的一液晶板。TFT-LCD的驱动电路将显示信号加到液晶板上，使得每个象素发光。

每个象素包括有与一相应数据线相连的一相应选通线(或扫描线)的一TFT，一存储电容和与TFT的源极并联的一显示设备。

无源型驱动电路的相关技术将参照附图进行描述。

图1是说明无源型电流驱动电路的相关技术的框图。

参照图1，流经一个负载的电流量受一P型FET Qp1的电流-电压(I-V)特性的控制。

为控制P型晶体管Qp1的电流-电压(I-V)特性，加到P型FET Qp1栅极上的电压量受作为转换元件的一N型FET Qs电阻-电压(R-V)特性的控制。可以流经所述负载的最大电流iL也被控制。

然而，图1中的电路依靠P型晶体管Qp1和N型晶体管Qs来控制流经所述负载的电流量。因此，精确实现以上电流控制电路存在困难。例如，假如在制造集成电路型的电流控制电路存在任何偏差，将产生无法解决此偏差的问题。

换句话说，当制造集成电路时，P型晶体管Qp1和N型晶体管Qs的阈值电压和一有效沟道长度可能随着圆片的处理改变和定位而改变。既然这样，此电流控制电路不能精确实现。

图2是一个用来补偿由图1例中可能导致的偏差的电路。如图2所示，一个基于两个高电压设备的电流镜电路被用作所述电流控制电路的一个元件。

参照图2，电流控制电路包括将电源电压Vdd作为输入信号且组成电流镜电路1的第一和第二PMOS晶体管Qp1和Qp2、与第一PMOS晶体管Qp1的漏极相连的负载2、连接在第一PMOS晶体管Qp1和负载2之间的一可变电阻VR、和与第二PMOS晶体管Qp2的漏极相连的作为一转换元件的NMOS晶体管Qs。

相关技术中平面显示设备的电流控制电路的操作将参照图2进行描述。

参照图2，第一PMOS晶体管Qp1和第二PMOS晶体管Qp2彼此有相同特性。

其中，负载2中的电流iL受与第一PMOS晶体管Qp1相连的可变电阻VR的控制。

换句话说，当可变电阻VR变到一高阻值时，负载2中的电流iL变小。当可变电阻VR变到一低阻值时，负载2中的电流iL变大。

流经负载2中的电流iL表示如下： i L = V dd - V sgp - V dss R i - - - - ( 1 ) ]]>

在以上等式(1)中，Vdd是一电源电压，Vsgp是一PMOS晶体管的源极和栅极之间的一电压降，Vdss是NMOS晶体管的栅极与源极的电压差。