[发明专利]可容忍短路的电阻交叉点阵列无效
申请号: | 01125427.0 | 申请日: | 2001-08-15 |
公开(公告)号: | CN1345067A | 公开(公告)日: | 2002-04-17 |
发明(设计)人: | F·A·佩尔纳;T·C·安东尼 | 申请(专利权)人: | 惠普公司 |
主分类号: | G11C5/00 | 分类号: | G11C5/00;G11C5/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王勇,王忠忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 容忍 短路 电阻 交叉点 阵列 | ||
1.一种数据存储器件(8),包括存储器单元(12)的电阻单元交叉点阵列(10),每个存储器单元(12)包括存储器元件(50);和与存储器元件(50)串联连接的线性电阻元件(56)。
2.根据权利要求1的器件,其中电阻元件(56)是存储器元件上的电阻膜(56,70)。
3.根据权利要求1的器件,其中电阻元件(56)包括另一存储器元件。
4.根据权利要求1的器件,其中电阻元件(56)由半导体材料构成。
5.根据权利要求1的器件,其中电阻元件(56)至少由氧化物和氮化物之一构成。
6.根据权利要求1的器件,其中电阻元件(56)由金属和半导体的至少之一的合金构成。
7.根据权利要求1的器件,其中电阻元件(56)由导电聚合物构成。
8.根据权利要求1的器件,其中电阻元件(56)还对欧姆触点(98)提供存储器元件。
9.根据权利要求1的器件,其中每个存储器元件(50)包括自旋相关隧道结器件(84-96)。
10.根据权利要求1的器件,其中电阻元件(56)具有处于存储器元件(50)的设计电阻的大约10%到50%之间的电阻。
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