[发明专利]半导体激光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种激射波长为770～810nm的半导体激光器，

包括：第1导电类型的半导体衬底；

在该半导体衬底上设置的第1导电类型的第1包覆层；

在该第1包覆层上设置的量子阱结构的有源层；

在该有源层上设置的第2导电类型的第1个第2包覆层；

位于激光谐振腔端面附近的、包含上述有源层的从上述第1个第2包覆层的表面将杂质掺入半导体衬底一侧的叠层内而设置的无序化区域；以及

经上述第1个第2包覆层与该无序化区域的有源层相对、包含在上述第1个第2包覆层的表面上设置的第2导电类型的第2个第2包覆层、同时在上述谐振腔长边方向延伸的光波导，其特征在于：

若将以激发光照射上述无序化区域时所产生的光荧光的波长记作λdp1(nm)，以激发光照射有源层时所产生的光荧光的波长记作λap1(nm)，并将蓝移量λb1(nm)定义为λb1＝λap1-λdp1，则

                       λb1≥20成立。

2.如权利要求1中所述的半导体激光装置，其特征在于：

当将激光器的COD水平记作Pcod(mW)时，蓝移量λb1(nm)进而满足

(Pcod-85)/5.6≤λb1≤(Pcod-135.0)/1.3

3.如权利要求1或2中所述的半导体激光装置，其特征在于：

除了光波导的顶部外，还具有在含有光波导侧面的第1个第2包覆层上敷设的绝缘膜。

4.如权利要求1或2中所述的半导体激光装置，其特征在于：

进而包括以掩埋第1个第2包覆层上的光波导周围的方式敷设的第1导电类型的电流阻挡层。

5.一种半导体激光装置的制造方法，其特征在于，

包括：

依次形成在第1导电类型的半导体衬底上的第1导电类型的第1包覆层、量子阱结构的有源层及第2导电类型的第1个第2包覆层的第1工序；

在第1个第2包覆层的表面上形成在半导体激光器的谐振腔端面的一定区域有开口的、掺入杂质用的掩模图形的第2工序；

以掺入杂质用的掩模图形作为掩模掺入杂质，使谐振腔端面附近的有源层无序化的第3工序；

以激发光照射无序化区域使之产生光荧光，并根据该光荧光波长的测量，预测COD退化水平的第4工序；

去除掺入杂质用的掩模图形、在第1个第2包覆层的表面上形成第2导电类型的第2个第2包覆层的第5工序；

在第2个第2包覆层的表面上形成经第1和第2个第2包覆层与无序化有源层相对，在谐振腔长边方向延长的条形掩模图形的第6工序；以及

以条形掩模图形作掩模、形成具有第2个第2包覆层的光波导的第7工序。

6.如权利要求5中所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：

半导体激光装置的激射波长为770～810nm，在第4工序中，将以激发光照射无序化区域时所产生的光荧光的波长记作λdp1(nm)，以激发光照射有源层时所产生的光荧光的波长记作λap1(nm)，蓝移量λb1(nm)定义为λb1＝λap1-λdp1，则

                    λb1≥20成立。

7.如权利要求6中所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：

在将激光器的COD水平记作Pcod(mW)时，则蓝移量λb1(nm)进而满足

(Pcod-85)/5.6≤λb1≤(Pcod-135.0)/1.3