[发明专利]氧化钛、使用该氧化钛的光催化剂和光催化剂涂料组合物

说明书

发明领域

本发明涉及一种氧化钛、一种使用该氧化钛的光催化剂和一种使用该氧化钛的光催化剂涂料组合物。

发明背景

对半导体进行的紫外线照射，产生强还原活性的电子和强氧化活性的空穴，以通过氧化-还原活性使与半导体接触的分子类物质分解。这种活性被称为光催化活性。通过光催化活性，使在生存或工作空间中的难闻物质分解并除去，并且使水中的诸如有机溶剂、农用化学品和表面活性剂的物质分解并除去。作为显示出光催化活性的物质，氧化钛引起人们更多的注意，并有由氧化钛制成的光催化剂出售。

但是，当用可见光照射光催化剂时，由现在市场上可买到的氧化钛制成的光催化剂所显示出的光催化活性是不足够的。

发明概述

本发明的目的是提供一种通过可见光的照射显示出足够高的光催化活性的氧化钛，提供一种使用该氧化钛作为催化剂组分的光催化剂，并提供一种使用该氧化钛的光催化剂涂料组合物。

为达到这些目的，本发明人已经对氧化钛作了研究。结果，本发明人已经得到通过可见光的照射而显示出足够高的光催化活性的氧化钛，并已完成本发明。

这样，本发明提供一种具有如下选择离子色谱的氧化钛，其中在用热重分析法-质谱法来测定该选择离子色谱时，质量数与电荷量的比值为28的放出气体，在大约600℃或更高的温度下显示出至少个峰值。

本发明还提供一种含有作为催化剂组分的上述氧化钛的光催化剂。

本发明进一步提供一种含有上述氧化钛和一种溶剂的光催化剂涂料组合物。

附图简述

图1是一种本发明的氧化钛(在实施例1中得到的)的选择离子色谱，就质量数“m”与电荷量“e”的比值“m/e”为28的放出气体而论，所述的选择离子色谱，是在施加1500V的CEM电压的条件下，用热重分析法-质谱法来测得的。

图2是一种本发明的氧化钛(在实施例1中得到的)的选择离子色谱，就m/e的比值为14的放出气体而论，所述的选择离子色谱，是在施加1500V的CEM电压的条件下，用热重分析法-质谱法来测得的。

图3是一种本发明的氧化钛(在实施例1中得到的)的选择离子色谱，就m/e的比值为64的放出气体而论，所述的选择离子色谱，是在施加1500V的CEM电压的条件下，用热重分析法-质谱法来测得的。

图4是一种本发明的氧化钛(在实施例1中得到的)的选择离子色谱，就m/e的比值分别为28或14的放出气体而论，所述的选择离子色谱，是在施加1000V的CEM电压的条件下，用热重分析法-质谱法来测得的。

图5是一种市场上可买到的氧化钛(在对比例1中使用的)的选择离子色谱，就m/e的比值为28的放出气体而论，所述的选择离子色谱，是在施加1500V的CEM电压的条件下，用热重分析法-质谱法来测得的。

图6是一种市场上可买到的氧化钛(在对比例1中使用的)的选择离子色谱，就m/e的比值为14的放出气体而论，所述的选择离子色谱，是在施加1500V的CEM电压的条件下，用热重分析法-质谱法来测得的。

图7是一种市场上可买到的氧化钛(在对比例1中使用的)的选择离子色谱，就m/e的比值为64的放出气体而论，所述的选择离子色谱，是在施加1500V的CEM电压的条件下，用热重分析法-质谱法来测得的。

图8是一种市场上可买到的氧化钛(在对比例1中使用的)的选择离子色谱，就m/e的比值分别为28或14的放出气体而论，所述的选择离子色谱，是在施加1000V的CEM电压的条件下，用热重分析法-质谱法来测得的。

发明详述

本发明的氧化钛通常具有化学式TiO₂并含有在高温下从氧化钛上脱离的组分。即，本发明的氧化钛具有选择离子色谱，其中在用热重分析法-质谱法(以下称作“TG-MS”)来测定选择离子色谱时，质量数“m”与电荷量“ e”的比值“m/e”为28的放出气体，在大约600℃或更高的温度下显示出一个峰值。这种选择离子色谱显示出一旦将氧化钛在恒速升温状态下加热，在600℃或更高的温度下就会释放出确定的组分(即，放出气体)。而且，这种选择离子色谱显示出氧化钛含有具有这种物理性质的组分和/或该组分的前体。选择离子色谱优选在施加1000V或1500V的电子通道倍增器(ChanneltronElectron Multiplier)(以下称作“CEM”)电压的条件下测定。