[发明专利]电致发光元件及其制造方法有效
申请号: | 01125950.7 | 申请日: | 2001-07-06 |
公开(公告)号: | CN1359254A | 公开(公告)日: | 2002-07-17 |
发明(设计)人: | 白川幸彦;三轮将史;长野克人 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H05B33/22 | 分类号: | H05B33/22 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陈昕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.电致发光元件,
它至少具有有电绝缘性的基板和在该基板上层叠电极层、介电体层和发光层及透明电极层的结构;
上述介电体层是至少在其组成中含有铅的第1厚膜陶瓷高介电常数介电体层、至少在其组成中含有铅成分的第2高介电常数层和至少在其组成中不含铅的第3高介电常数层的叠层体。
2.权利要求1所述的电致发光元件,其中,上述第3高介电常数层由至少在其组成中不含铅的钙钛矿型结构介电体形成。
3.权利要求1所述的电致发光元件,其中,上述第2和第3高介电常数层是利用溶液涂布烧成法形成的。
4.权利要求1所述的电致发光元件,其中,上述第2高介电常数层是利用溶液涂布烧成法形成的,上述第3高介电常数介电体层是利用溅射法形成的。
5.电致发光元件,其特征在于,
它至少具有有电绝缘性的基板和在该基板上层叠电极层、介电体层和发光层及透明电极层的结构;
上述介电体层是至少在其组成中含有铅的厚膜陶瓷高介电常数介电体层和至少在其组成中不含铅的介电体材料构成的第2高介电常数层的叠层件。
6.权利要求5所述的电致发光元件,其中,上述第2高介电常数层由至少在其组成中不含铅的钙钛矿型结构介电体形成。
7.权利要求5所述的电致发光元件,其中,上述第2高介电常数层是利用液涂布烧成法形成的。
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