[发明专利]热板及半导体装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 01125952.3 申请日: 2001-07-10
公开(公告)号: CN1335640A 公开(公告)日: 2002-02-13
发明(设计)人: 坚田富夫;和田纯一 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/68;B25B11/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1、一种热板,具备带有放置半导体衬底的凸状面的板本体和在上述板本体内形成的发热电极以及在上述板本体内形成的静电吸盘电极,其特征在于,半导体衬底被放置在上述板本体的凸状面上时,半导体衬底和凸状面之间的距离从上述板本体的中心部分向外周方向变大。

2、如权利要求1所述的热板,其特征在于,上述静电吸盘电极从上述板本体的中心部分伸向外周方向并在上述板本体的厚度方向形成凸状。

3、如权利要求2所述的热板,其特征在于,上述发热电极在电极板本体内从上述板本体的中心部分伸向外周方向并在上述板本体的厚度方向形成为同一高度。

4、如权利要求2所述的热板,其特征在于,上述发热电极从上述板本体中心部分伸向外周方向并在上述板本体的厚度方向形成凸状。

5、一种热板,具备带有放置半导体衬底的平坦面的板本体、在上述板本体内形成的发热电极、在上述板本体内从上述板本体的中心部分伸向外周方向并在上述板本体的厚度方向形成凸状的静电吸盘电极,其特征在于,半导体衬底被放置在上述板本体的平坦面上时,半导体衬底和静电吸盘电极之间的距离从上述板本体中心部分向外周方向变大。

6、如权利要求5所述的热板,其特征在于,上述发热电极在电极板本体内从上述板本体的中心部分伸向外周方向并在上述板本体的厚度方向形成同一高度。

7、如权利要求5所述的电热极,其特征在于,上述发热电极从上述板本体的中心部分伸向外周方向并在上述板本体的厚度方向形成凸状。

8、一种半导体装置的制造方法,其特征在于,该方法具备以下工序:

在具备板本体、在上述板本体中形成的发热电极、在上述板本体中形成的从中心向外周方向分割成多个静电吸盘电极部分的静电吸盘电极的热板上放置半导体衬底的工序,

通过向上述发热电极施加电压,使装载在上述板本体上的半导体衬底加热至规定温度的工序,

在上述多个静电吸盘电极部分中,从上述热板本体的上述中心部分的静电吸盘电极部分向着外周方向的静电吸盘电极部分依次施加吸持电压,从上述热板本体的上述中心部分向着外周方向产生吸持力,通过该吸持力使上述半导体衬底保持在上述热板上的工序,

在将上述半导体衬底保持在上述热板本体上的状态下,处理上述半导体衬底的工序。

9、如权利要求8所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,使施加在上述中心部分的静电吸盘电极部分的上述吸持电压和施加在外周方向的静电吸盘电极部分的上述吸持电压成为相同的电压

10、如权利要求8所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,使施加在上述中心部分的静电吸盘电极部分的上述吸持电压和施加在外周方向的静电吸盘电极部分的上述吸持电压成为不同的电压。

11、如权利要求8所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,作为施加在上述静电吸盘电极部分的至少一个上的上述吸持电压是施加规定值的电压。

12、如权利要求8所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,使在上述静电吸盘电极部分的至少一个上所施加的上述吸持电压边变化边施加并上升到规定值。

13、如权利要求8所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,该方法还具备检测将上述半导体衬底放置到上述热板本体之前或之后的半导体衬底背面状态的序、和根据检测信息控制上述吸持电压和吸持时间的至少一个的工序。

14、如权利要求8所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,还具备以下工序,即在处理上述半导体衬底工序之后,将与上述吸持电压相反极性的减持电压施加到上述多个静电减持电极部分,产生减持力,通过该减持力使上述半导体衬底从上述热板离开。

15、如权利要求13所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,还具备检测将上述半导体衬底放置在热板本体之后或之后该半导体衬底背面状态的工序,和根据该检测信息控制上述减持电压和减持时间至少一个的工序。

16、如权利要求8所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,上述多个吸盘电极部分由相对于上述热板本体的上述中心部分配置成并列的螺旋状的一对电极的多个分割部分构成。

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