[发明专利]超晶格材料子带跃迁的半导体弱光开关无效
| 申请号： | 01128282.7 | 申请日： | 2001-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1167135C | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | 高锦岳;苏雪梅 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;H01L33/00;H01L49/00;H01S5/00;H04B10/02;G02F1/017 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶格 材料 跃迁 半导体 弱光 开关 | ||
【说明书】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
