[发明专利]变功率送电冶炼碳化硅的方法无效
申请号: | 01128529.X | 申请日: | 2001-08-08 |
公开(公告)号: | CN1333181A | 公开(公告)日: | 2002-01-30 |
发明(设计)人: | 王述平 | 申请(专利权)人: | 王述平 |
主分类号: | C01B31/36 | 分类号: | C01B31/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 414400*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 送电 冶炼 碳化硅 方法 | ||
一、技术领域:
本发明涉及碳化硅的冶炼方法,属于国际专利分类表C分册中硅,其化合物领域。
二、背景技术:
碳化硅工业化生产是以石英砂、石油焦、木屑、食盐为原料,基本化学反应方程式为:
在工业化冶炼碳化硅的过程中,当电阻炉中反应料的温度达到约1500℃以上时,开始有碳化硅生产的反应发生。随着温度的提高,反应速度加快。1800℃以下得到的一般为β晶型的碳化硅晶体,反应温度为1800~2400℃时,可得到α晶型的碳化硅。冶炼过程中在反应区域碳化硅蒸气达到饱和,因而碳化硅气体逐步凝聚使得碳化硅晶体得以长大成块。碳化硅晶体的分解温度一般为2400℃以上,超过此温度,碳化硅晶体将逐步分解。因此,工业化冶炼碳化硅的关键在于如何控制反应温度,以使得生成碳化硅的反应能够快速进行,而不至于分解。用电阻炉工业化生产碳化硅时,反应是在炉体内部发生的,外面覆盖着反应料和保温料,炉内的反应无从了解,只能凭经验推断并加以控制,但由于冶炼的不同阶段单位时间内的反应量不一样,因而所需的能量也不相同,故恒功率送电的冶炼方法并不合理。
三、发明内容:
本发明要解决的技术问题在于改变恒功率送电的冶炼方法,提供一种变功率送电冶炼碳化硅的方法,以达到节能降耗,提高产品质量的目的。
本发明的技术方案是:将冶炼过程分为三期,即冶炼前期、冶炼中期和冶炼后期;控制时间、温度、炉阻和送电功率;冶炼时间为连续20小时,0~8小时为前期,8~15小时为中期,15~20小时为后期;冶炼前期采用125%平均功率送电,使冶炼炉内温度上升至2000℃,炉阻达到初始值的55%,冶炼中期,输入功率视炉阻变化而变化,炉阻变小减小输入功率,炉阻变大增大输入功率,控制炉内温度在2000℃~2200℃,冶炼后期,输入功率为平均功率的85%,控制炉内温度在2200℃~2000℃。
由于恒功率送电的冶炼方法具有冶炼前期能量提供不足,温度上升慢,导致反应速度慢,不利于冶炼设备的充分利用;冶炼后期能量过剩,导致反应温度过高,使得碳化硅晶体分解,造成能源的损失。根据这一规律,同时利用石墨随温度变化,电阻系数发生变化的规律,与SiC生成逆反应加剧炉芯截面积增大,电阻变小的变化规律调整冶炼炉是如功率,从而使SiC生成全过程在受控制的工艺状态上运行。
本发明在冶炼前期为了尽快地提高炉温,以最大功率送电,这一阶段也有少量的碳化硅生成,所提供的能量一部分用于提高炉温,另一部分用于生成碳化硅反应。冶炼中期动态控制功率送电,这一阶段炉内温度趋于稳定,一般控制在2000℃~2200℃范围内较适合,生成碳化硅的反应主要在此阶段发生,所提供的能量一部分用于反应所需,一部分为冶炼炉的热量损失,开始时由于反应比较剧烈,需要的能量相对大一些,随后反应趋缓,能量需求逐渐减少,故送电功率可逐步下降。冶炼后期维持反应温度在2200℃~2000℃范围内较好,这一阶段有生成碳化硅的反应发生,但主要为碳化硅的晶体长大和晶体形状完善过程。由于合理安排了冶炼过程中输入能量的分配,使我厂在碳化硅冶炼生产上取得了明显的节能降耗的作用,获得的经济效益和社会效益都十分明显。实施前,平均耗电量为每炉66000度,平均产量为每炉6.8吨,平均每吨耗电9707度;实施后,平均耗电量为每炉62000度,平均产量为每炉8.2吨,平均每吨耗电7281度。
四、具体实施方式:
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