[发明专利]光学近接修正的方法

权利要求书

1.一种适用于微影工艺的光学近接修正的方法，该微影工艺使用一具有P偏振光与S偏振光的曝光光源，其特征为：还使用具有复数个图案的一光罩，其中该P偏振光的穿透系数(Transmission Coefficient)大于该S偏振光，且任选两个图案的图形指向互异，该方法包括：

考虑该P偏振光的穿透系数与该S偏振光的穿透系数的比值，以及每一该些图案的图形指向与该S偏振光/该P偏振光的偏振方向的夹角，分别使用不同的一光学近接修正模式修正每一该些图案。

2.如权利要求1所述的光学近接修正的方法，其特征为：该光学近接修正模式中采用了复数个修正图形，其中包括一锤头状修正图形。

3.如权利要求1所述的光学近接修正的方法，其特征为：该光学近接修正模式中采用了复数个修正图形，其中包括一角块状修正图形。

4.如权利要求1所述的光学近接修正的方法，其特征为：该些图案的图形指向共分两种，分为一第一图案与一第二图案。

5.如权利要求4所述的光学近接修正的方法，其特征为：该第一图案与该第二图案的型式包括平行线状图案。

6.如权利要求5所述的光学近接修正的方法，其特征为：光学近接修正前的该第一图案的间隔/宽度(Pitch/Size)与该第二图案相同。

7.如权利要求6所述的光学近接修正的方法，其特征为：

该第一图案与该第二图案的走向垂直；

该第一图案的走向靠近该S偏振光的电场偏振方向，且该第二图案的走向靠近该P偏振光的电场偏振方向；以及

光学近接修正后的该第二图案的图形间距离大于光学近接修正后的该第一图案的图形间距离。

8.一种微影工艺，其特征为：包括下列步骤：

提供一基底；

在该基底上形成一光阻层；

提供具有一P偏振光与一S偏振光的一曝光光源，其中该P偏振光的穿透系数大于该S偏振光；

提供具有复数个图案的一光罩，其中任选两个图案的图形指向互异，且每一该些图案皆已分别经过不同的一光学近接修正模式的修正，其中考虑该P偏振光与该S偏振光的穿透系数的比值，以及每一该些图案的图形指向与该P偏振光/该S偏振光的偏振方向的夹角；以及

使用该曝光光源及该光罩对该基底进行曝光，再进行一显影步骤以得复数个光阻图案。

9.如权利要求8所述的微影工艺，其特征为：光学近接修正模式中采用了复数个修正图形，其中包括一锤头状修正图形。

10.如权利要求8所述的微影工艺，其特征为：该光学近接修正模式中采用了复数个修正图形，其中包括一角块状修正图形。

11.如权利要求8所述的微影工艺，其特征为：该些图案的图形指向共分两种，分为一第一图案与一第二图案。

12.如权利要求11所述的微影工艺，其特征为：该第一图案与该第二图案的型式包括平行线状图案。

13.如权利要求12所述的微影工艺，其特征为：该些光阻图案区分为对应该第一图案的一第一光阻图案，以及对应该第二图案的一第二光阻图案，且该微影工艺的预定目标为使该第一光阻图案与该第二光阻图案具有相同的间隔/宽度(Pitch/Size)。

14.如权利要求13所述的微影工艺，其特征为：

该第一图案与该第二图案的走向垂直；

该第一图案的走向靠近该S偏振光的电场偏振方向，且该第二图案的走向靠近该P偏振光的电场偏振方向；以及

该第二图案的图形间距离大于该第一图案的图形间距离。