[发明专利]半导体金属蚀刻工艺的方法

权利要求书

1.一种半导体金属蚀刻工艺的方法，其特征在于：其步骤包括：

提供一基底，该基底上已形成一铝铜金属层，且该铝铜金属层上已形成一氮化钛抗反射层；

进行一第一阶段蚀刻步骤，以蚀刻该氮化钛抗反射层与一特定厚度的部分该铝铜金属层，该第一阶段蚀刻步骤的工艺参数包括：

上电极电源在400W～700W之间；

下电极电源在100W～200W之间；

氯与三氯化硼的气体比值在0.6～1.5之间；

氮气流速小于10sccm

CHF₃流速小于20sccm；

总气体流速在50～200sccm之间；

操作压力在8～15mTorr之间；

进行一第二阶段蚀刻步骤，以蚀刻剩余的该铝铜金属层。

2.根据权利要求1所述的半导体金属蚀刻工艺的方法，其特征在于：被去除的部分该铝铜金属层的该特定厚度大于200埃。

3.根据权利要求1所述的半导体金属蚀刻工艺的方法，其特征在于：该第一阶段蚀刻步骤的工艺参数还包括以氦气将晶背压力控制于6～10Torr左右。

4.根据权利要求1所述的半导体金属蚀刻工艺的方法，其特征在于：该第二阶段蚀刻步骤的工艺参数包括：

上电极电源在400W～800W之间；

下电极电源在100W～200W之间；

氮气流速在5～15sccm之间；

三氯化硼的气体流速在10～50sccm之间；

氯气流速在50～120sccm之间；

操作压力在8～12mTorr之间。

5.一种半导体金属蚀刻工艺的方法，其适于一基底，该基底上已形成一金属层，且该金属层上已形成一抗反射层，其特征在于：其步骤包括：

进行一第一阶段蚀刻步骤，以蚀刻该抗反射层与一特定厚度的部分该金属层，该第一阶段蚀刻步骤的工艺参数包括：

氯与三氯化硼的气体比值在0.6～1.5之间；

总气体流速在50～200sccm之间；

进行一第二阶段蚀刻步骤，以蚀刻剩余之该金属层。

6.根据权利要求5所述的半导体金属蚀刻工艺的方法，其特征在于：该第一阶段蚀刻步骤的工艺参数还包括：

上电极电源在400W～700W之间；

下电极电源在100W～200W之间；

氮气流速小于10sccm；

CHF₃流速小于20sccm；

操作压力在8～15mTorr之间；

晶背压力在6～10Torr之间。

7.根据权利要求5所述的半导体金属蚀刻工艺的方法，其特征在于：被去除的部分该金属层的该特定厚度大于200埃。

8.根据权利要求5所述的半导体金属蚀刻工艺的方法，其特征在于：该抗反射层的材质包括氮化钛。

9.根据权利要求5所述的半导体金属蚀刻工艺的方法，其特征在于：该第二阶段蚀刻步骤的工艺参数包括：

上电极电源在400W～800W之间；

下电极电源在100W～200W之间；

氮气流速在5～15sccm之间；

三氯化硼的气体流速在10～50sccm之间；

氯气流速在50～120sccm之间；

操作压力在8～12mTorr之间；

晶背压力为6～10Torr之间。

10.一种半导体金属蚀刻工艺的方法，其适于一基底，该基底上已形成一金属层，且该金属层上已形成一抗反射层，其特征在于：其步骤包括：

进行一具有固定工艺参数之第一阶段蚀刻步骤，以蚀刻该抗反射层与一特定厚度的部分该金属层；

进行一第二阶段蚀刻步骤，以蚀刻剩余的该金属层。

11.根据权利要求10所述的半导体金属蚀刻工艺的方法，其特征在于：被去除的部分该金属层的特定厚度大于200埃。