[发明专利]晶片操作频率调整电路及方法无效
申请号: | 01129363.2 | 申请日: | 2001-06-13 |
公开(公告)号: | CN1391268A | 公开(公告)日: | 2003-01-15 |
发明(设计)人: | 黄鸿儒;白宏达 | 申请(专利权)人: | 矽统科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 穆魁良 |
地址: | 台湾省新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 操作 频率 调整 电路 方法 | ||
1.一种晶片操作频率调整电路,其特征是:其至少包含:
一用以根据一电源信号而输出一测试时脉信号的环振荡器,耦接于一晶片;
一将上述测试时脉信号与一既定时脉频率进行比较并输出一电压信号的控制电路,耦接于上述环振荡器;
一用以依据上述的电压信号而调整上述电源信号电压值的电压调整电路,耦接于上述控制电路。
2.如权利要求1所述的晶片操作频率调整电路,其特征是:其中上述环振荡器由奇数个的彼此耦接的反向器所组成。
3.如权利要求1所述的晶片操作频率调整电路,其特征是:其中上述控制电路包括:
一用以接收上述测试时脉信号并计算上述测试时脉信号的频率的频率计算电路;
一用以比较上述测试时脉信号及上述既定时脉频率、当上述测试时脉信号的频率低于上述既定时脉信号的频率时,则输出上述电压升高信号的频率比较电路,耦接于上述频率计算电路。
4.如权利要求1所述的晶片操作频率调整电路,其特征是:其中上述既定时脉频率为上述环振荡器于理想状态的振荡频率。
5.一种通过如权利要求1所述的晶片操作频率调整电路而实现的晶片操作频率调整方法,其特征是:包括下列步骤:
提供一于制作过程中即同时植入一环振荡器的晶片;
侦测上述环振荡器所输出的测试时脉信号的频率;
根据所侦测的测试时脉信号的频率而调整输入上述晶片的工作电压。
6.如权利要求5所述的晶片操作频率调整方法,其特征是:其还包括下列步骤:
当上述晶片操作于标准模式时,若上述环振荡器所输出的频率小于一第一既定频率时,则提高上述工作电压。
7.如权利要求6所述的晶片操作频率调整方法,其特征是:其中上述第一既定频率为上述环振荡器于标准模式时所输出的理想时脉频率。
8.如权利要求5所述的晶片操作频率调整方法,其特征是:还包括下列步骤:
当上述晶片操作于省电模式时,若上述环振荡器所输出的频率大于一第二既定频率时,则降低上述工作电压。
9.如权利要求8所述的晶片操作频率调整方法,其特征是:其中上述第二既定频率为上述环振荡器于省电模式时所输出的理想时脉频率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽统科技股份有限公司,未经矽统科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01129363.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:去污清洁剂
- 下一篇:太阳能蓄热供暖供冷方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造