[发明专利]一种闪存的结构

权利要求书

1、一种闪存的结构，包括：一个电荷陷入层；一个栅极，配置在电荷陷入层的第二氧化层上；以及一个源/漏极区，位于该电荷陷入层两侧的基底内，其特征是：该电荷陷入层包括一层第一氧化层，其位于一个基底上；一层高介电常数介电层，其位于第一氧化层上；一层第二氧化层，其位于高介电常数介电层上。

2、根据权利要求1所述的闪存的结构，其特征是：该高介电常数介电层的带隙值小于氧化硅的带隙值。

3、根据权利要求1所述的闪存的结构，其特征是：该高介电常数介电层的介电常数大于8。

4、根据权利要求1所述的闪存的结构，其特征是：该高介电常数介电层的材质是选自于氧化铝、氧化钇、锆氧化硅、铪氧化硅、三氧化二镧、二氧化锆、二氧化铪、五氧化二钽、氧化镨与二氧化钛所组成的族群其中之一。

5、根据权利要求1所述的闪存的结构，其特征是：该高介电常数介电层的材质是选自于氧化铝、氧化钇、锆氧化硅、铪氧化硅、三氧化二镧、二氧化锆、二氧化铪、五氧化二钽、氧化镨与二氧化钛所组成的混合物族群其中之一。

6、根据权利要求1所述的闪存的结构，其特征是：该高介电常数介电层是选自于氧化铝、氧化钇、锆氧化硅、铪氧化硅、三氧化二镧、二氧化锆、二氧化铪、五氧化二钽、氧化镨与二氧化钛所组成的堆栈层族群其中之一。

7、一种闪存的结构，包括：一个电荷陷入层；一个栅极，配置在电荷陷入层的高介电常数介电层上；以及一个源/漏极区，位于电荷陷入层两侧的基底内，其特征是：该电荷陷入层包括一层第一氧化层，其位于一基底上；一层高介电常数介电层，其位于第一氧化层上，并与第一氧化层形成一电荷陷入层。

8、根据权利要求7所述的闪存的结构，其特征是：该高介电常数介电层的带隙值不小于氧化硅的带隙值。

9、根据权利要求7所述的闪存的结构，其特征是：该高介电常数介电层的材质是选自于氧化铝、氧化钇、锆氧化硅、铪氧化硅、三氧化二镧、二氧化锆、二氧化铪、五氧化二钽、氧化镨与二氧化钛所组成的族群以及上述物质组成的混合物的族群其中之一。

10、根据权利要求7所述的闪存的结构，其特征是：该高介电常数介电层是选自于氧化铝、氧化钇、锆氧化硅、铪氧化硅、三氧化二镧、二氧化锆、二氧化铪、五氧化二钽、氧化镨与二氧化钛所组成的堆栈层族群其中之一。