[发明专利]罩幕式只读存储器的制造方法有效
| 申请号： | 01129594.5 | 申请日： | 2001-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1393925A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 薛正诚 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 罩幕式 只读存储器 制造 方法 | ||
1.一种罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于：包括下列步骤：
提供一基底；
在该基底第一方向上形成复数条埋入式位线；
在该基底上形成复数个栅极介电层，并在第二方向上形成复数条字符线，而位于该些埋入式位线之间，且以该等字符线下方的该基底部分作为复数个存储单元；
在该基底上覆盖一第一介电层；
在该第一介电层中形成复数个编码窗口，该些编码窗口位于一预定部分的该等存储单元的上方；
在该些编码窗口的侧壁形成复数个间隙壁；
以该第一介电层与该些间隙壁为罩幕，在该些编码窗口下方的该些存储单元中植入一离子；
在该基底上形成一第二介电层以填满该些编码窗口。
2.根据权利要求1所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于：该第一方向与该第二方向垂直。
3.根据权利要求1所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于：形成该些埋入式位线的方法包括下列步骤：
在该基底上形成一罩幕层；
在该罩幕层中形成复数个沟道；
在该些沟道所暴露出的该基底中植入离子，以形成复数条埋入式位线；
氧化该些沟道所暴露出的该基底，以在每一条埋入式位线上形成一隔离氧化层；
除去该罩幕层。
4.根据权利要求1所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于：还包括在该基底上覆盖该第一介电层之后，平坦化该第一介电层的步骤。
5.根据权利要求1所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于：还包括在该基底上形成该第二介电层之后，平坦化该第二介电层的步骤。
6.根据权利要求1所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于：该第一介电层的厚度介于1000至2000之间。
7.一种罩幕式只读存储器的程序化方法，其特征在于：包括下列步骤：
提供一基底，该基底上已形成有交错的复数条埋入式位线与复数条字符线，其中该些字符线跨越该些埋入式位线上方，而位于该些埋入式位线之间，且位于该些字符线下方的部分的该基底作为复数个存储单元；
在该基底上覆盖一第一介电层；
在该第一介电层中形成复数个编码窗口，该些编码窗口位于一预定部分的该些存储单元的上方；
在该些编码窗口的侧壁形成复数个间隙壁；
以该第一介电层与该些间隙壁为罩幕，在该些编码窗口下方的该些存储单元中植入一离子。
8.根据权利要求7所述的罩幕式只读存储器的程序化方法，其特征在于：该些埋入式位线的走向与该些字符线垂直。
9.根据权利要求7所述的罩幕式只读存储器的程序化方法，其特征在于：还包括在该基底上覆盖该第一介电层之后，平坦化该第一介电层的步骤。
10.根据权利要求7所述的罩幕式只读存储器的程序化方法，其特征在于：该第一介电层的厚度介于1000至2000之间。
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