[发明专利]半导体晶片的清洗方法

权利要求书

1.一种半导体晶片的清洗方法，其特征在于：该方法包括：

提供一晶片；

将该晶片置于一洗净槽中；

持续提供浓度随时间的增加而降低的一化学清洗液于该洗净槽中以清洗该晶片；

以去离子水清洗该晶片，去除残留在该晶片表面的该化学清洗液。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：使该化学清洗液的浓度随清洗时间的增加而降低的方法包括：

将该化学清洗液的清洗时间划分为M个时间区段，M为大于1的正整数；

使第N个时间区段的该化学清洗液的浓度低于第N-1个时间区段的该化学清洗液，N为小于M大于1的正整数。

3，根据权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：该化学清洗液至少包括一表面活性剂。

4.根据权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：该化学清洗液至少包括一氧化剂。

5.根据权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：该化学清洗液包括氨水/过氧化氢/去离子水的混合溶液。

6.根据权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：该化学清洗液包括氢氯酸/过氧化氢/去离子水的混合溶液。

7.一种半导体晶片的清洗方法，其特征在于：该方法包括：

提供一晶片；

以至少包括一化学药剂的一清洗液清洗该晶片，且该清洗液的该化学药剂浓度随清洗时间的增加而降低；

以去离子水清洗该晶片，去除残留在该晶片表面的该清洗液。

8.根据权利要求7所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：使该清洗液的该化学药剂浓度随清洗时间的增加而降低的方法包括：

使该清洗液的清洗时间划分为复数个时间区段；

每到达一时间区段即增加该清洗液的一去离子水与该化学药剂的比例。

9.一种半导体晶片的清洗方法，其特征在于：该方法包括：

提供一晶片；

以一第一清洗液清洗该晶片，移除附着于该晶片表面的有机化合物、微粒，且该第一清洗液的浓度随清洗时间的增加而降低；

以去离子水清洗该晶片，去除残留在该晶片表面的该第一清洗液；

以一第二清洗液清洗该晶片，移除附着于该晶片表面的金属粒子，且该第二清洗液的浓度随清洗时间的增加而降低；

以去离子水清洗该晶片，去除残留在晶片表面的第二清洗液。

10.根据权利要求9项所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征在于：使该第一清洗液的浓度随清洗时间的增加而降低的方法包括：

使该第一清洗液的清洗时间划分为复数个时间区段；

每到达一时间区段就即增加该第一清洗液的一去离子水与一氨水的比例。

11.根据权利要求9所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于：使该第二清洗液的浓度随清洗时间的增加而降低的方法包括：

使该第二清洗液的清洗时间划分为复数个时间区段；

每到达一时间区段即增加该第二清洗液的一去离子水与一氢氯酸的比例。