[发明专利]盒式磁带无效

专利信息
申请号: 01131046.4 申请日: 2001-09-06
公开(公告)号: CN1345063A 公开(公告)日: 2002-04-17
发明(设计)人: 今村敏男;大御堂瑠美 申请(专利权)人: 日本胜利株式会社
主分类号: G11B23/087 分类号: G11B23/087
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 谢丽娜,余朦
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 盒式 磁带
【说明书】:

发明涉及一种盒式磁带,该盒式磁带具备了即使在装有用于长时间记录的较薄磁带的情况下也可以确保检测磁带端的结构。

图5是表示现有盒式磁带的内部结构。图5(A)是除去上盖的盒式磁带顶视图。图5(B)和图5(C)分别是盒式磁带的左右侧视图。

在图5中,AA为盒式磁带,1为盒式磁带的上盖,2为盒式磁带的下盖,3为送带(SP)一侧的传感器的光出口,4为卷带(TU)一侧的传感器的光出口,5为送带(SP)一侧的送带盘,6为卷带(TU)一侧的卷带盘,8为前盖的锁定板,9为插入孔,9a,9b为开口部位,T为磁带,P为发光元件,S1为送带(SP)一侧的受光传感器,S2为卷带(TU)一侧的受光传感器,L1为送带(SP)一侧的传感光路,L2为卷带(TU)一侧的传感光路。

一对设在送带侧的受光传感器S1和卷带侧的受光传感器S2以及发光元件P均被设置在图中未示出的磁带录象机(以下表示为“VTR”)一侧。当盒式磁带AA装进录象机并被固定在设定位置时,送带一侧的受光传感器S1和卷带一侧的受光传感器S2分别以设定的间隔对着盒式磁带AA侧的送带一侧的传感器光出口3和卷带一侧的传感器光出口4。而且,发光元件P被插入盒式磁带AA的插入孔9。

另一方面,在磁带T的两端(始端和末端)分别粘结着未图示的、规定长度的引导带的始端,各引导带的末端则分别被固定在送带一侧送带盘5、卷带一侧卷带盘6的各盘心上。

一种具有带端检测结构的盒式磁带AA,从插入盒式磁带AA的用于检测磁带终端的发光元件P发出的光,被受光传感器S1或受光传感器S2检测到规定量以上的光,因而检测出卷绕在盒式磁带AA内的SP侧送带盘5或TU侧卷带盘6上的长条磁带T的始端或末端,其构成如下:在该盒式磁带AA内形成从VTR侧的发光元件P发出的光,分别经过盒式磁带AA侧的插入孔9的开口部9a、9b,经传感器光出口3、4,再到达VTR侧的受光元件S1、S2,形成传感光路L1、L2。

组合构成盒式磁带AA的上盖和下盖通常由遮光性能好的黑色等的材料构成。在前述盒式磁带中,当磁带T遮住前述传感光路L1和L2时,由发光元件P发射的光就被该磁带T所遮蔽,受光传感器S1,S2则处在几乎不能受光的受光光量状态(未检测带端的状态)。

另一方面,分别粘接在缠卷于盒式磁带AA内的磁带两端的引导带,由能够很好地透过发光元件P所发射的光的材料构成。因此,盒式磁带AA放入录象机后磁带开始移动,随着自磁带T向引导带位置的移动,即使是引导带遮蔽了前述的光路L1,L2,由发光元件P发射的光也能够透过引导带,从而使受光传感器S1,S2处于受光量状态(检测带端的状态)。带端由不能检测状态到能够检测状态的变化结果,使得受光传感器S1,S2的受光光量由小变大,从而超过设定的透光率。据此,就能够检测到磁带T的始端或末端。

具体而言,规定VHS式盒式磁带AA中的磁带T(即较厚的磁带(能够以标准记录速度(SP模式)记录120分钟的T-120型磁带)、其带本体厚度为17μm~20μm)的透光率不超过1.2%(约为1.2~0%),引导带的透光率不低于50%(约为50%~100%)。通过检测前述较大的光透差,从而能够切实检测到磁带的端部。

如前所述,在检测VHS式盒式磁带AA的磁带的终端时,规定磁带T的透光率不超过1.2%、引导带的透光率不低于50%,据此,能够切实进行磁带的端部检测。但是,考虑到同VHS方式的互换性,即使是装有比前述磁带T的厚度(磁带厚度17μm~20μm)更薄的磁带厚度(较薄磁带的厚度为11μm~13μm(包括较薄磁带即DF-480型磁带,厚度为11.3μm~11.5μm、以及其它类型的较薄磁带,厚度为12.4μm))的用于长时间记录的较薄磁带的盒式磁带的新规格,也要满足前述VHS式规格(特别是磁带自身透光率不超过1.2%)的要求。因此,带厚为11.3μm的较薄磁带具有高于较厚磁带的透光率,前者为1.7%,后者为1.2%。

由此,即使是装有较薄磁带的盒式磁带,也必须使较薄磁带T的透光率满足不超过1.2%的规定值。因此,有必要进行下述之(1)和(2)。但是,即使满足了规定值的透光率,也存在着较薄磁带自身机械特性和电磁变换特性两者难以兼顾的情况。

(1)在较薄磁带的磁性层内添加主要用于遮光的碳等材料,就能够满足不超过1.2%的规定值的透光率。但是,不能得到前述较薄磁带本身所有的较高的电磁变换特性。

(2)而且,当前述较薄磁带T进一步超薄化时,则兼顾超薄化磁带T自身机械特性和电磁变换特性就变得更加困难。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本胜利株式会社,未经日本胜利株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01131046.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top