[发明专利]一种导热绝缘片式整流器件水冷方法及装置

权利要求书

1、一种导热绝缘片式整流器件水冷方法及装置，其特征在于所述的方法是将采用直接接触的散热方式，将导热陶瓷片的两面分别直接贴在半导体功率元件的连接母排和散热器的外表面上，通过光滑的表面直接贴合，散热器和连接母排与导热陶瓷片接合面的表面光洁度为0.2-0.8μm，导热陶瓷片的两面的表面光洁度为0.2-0.8μm，且导热陶瓷片直接安装在散热器与连接母排之间，其一面直接贴在散热器相对应的面上，另一面则直接贴在连接母排相对应的面上，从半导体功率元器件到散热器的温度梯度为3-5℃。

2、如权利要求1所述的导热绝缘片式整流器件水冷方法及装置，包括导热陶瓷片(1)、半导体功率元器件(2)、连接母排(3)、散热器(4)、安装架(9)和散热器冷却连接管(10)，其特征在于所述装置的导热陶瓷片与水冷散热器及功率半导体器件连接母排是直接接触的，将两个半导体功率器件(11)、(12)为一组轴向紧贴排列的，两个器件外侧各设置一散热器(13)、(14)，在散热器(13)、(14)与半导体功率器件连接母排(24)、(25)之间直接夹装有导热陶瓷片(15)、(16)，并根据功能模块体的设置按照两个功率器件一列，实行多列排序，而构成一个完整的带冷却装置的功能模块，再在每列的两端用固定架板(17)、(18)通过螺栓(19)将整个装置固定。

3、如权利要求1或2所述的导热绝缘片式整流器件水冷方法及装置，其特征在于导热陶瓷片的材料为ALN≥93％，其余为添加剂

4、如权利要求1或2所述的导热绝缘片式整流器件水冷方法及装置，其特征在于导热陶瓷片的硬度为莫氏6-7级，电阻率≥1015Ω.cm，导热系数≥80W/M·K，耐电压工频10kV，1min无击穿及闪烁现象，陶瓷片的厚度为2-3mm。

5、如权利要求1或2所述的导热绝缘片式整流器件水冷方法及装置，其特征在于水冷散热器共两组，每组散热器用由三个散热器模块用管焊连接形成一个整体，在水路布置上，进出水口各一个，分为两个支路单循环冷却。

6、如权利要求1或2所述的导热绝缘片式整流器件水冷方法及装置，其特征在于冷却水为双循环管路冷却，其一路冷却水管的冷却顺序是由散热器的(21)到(22)再到(13)，然后从装置的下部回到出水口，另一路则是由散热器的(23)到(20)再到(14)，然后也从装置下部回到出水口。