[发明专利]喷墨头基片、喷墨头及其制造方法和喷墨头使用方法及喷墨装置无效

专利信息
申请号: 01132845.2 申请日: 2001-07-31
公开(公告)号: CN1344619A 公开(公告)日: 2002-04-17
发明(设计)人: 尾崎照夫;池田雅实;笠本雅己;齐藤一郎;石永博之;小山修司;三隅义范;井利润一郎;望月无我 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: B41J2/14 分类号: B41J2/14;B41J2/16
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李德山
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 喷墨 头基片 及其 制造 方法 使用方法 装置
【权利要求书】:

1.一种喷墨头基片,包括:

一形成加热部分的发热电阻元件;

一与所述发热电阻元件电连接的电极布线;

一经由绝缘保护层提供在所述发热电阻元件和所述电极布线上的抗空蚀膜;

其中所述抗空蚀膜由多于两层的不同材料构成。

2.一种喷墨头基片,包括:

一形成加热部分的发热电阻元件;

一与所述发热电阻元件电连接的电极布线;

一经由绝缘保护层提供在所述发热电阻元件和所述电极布线上的抗空蚀膜;

其中所述抗空蚀膜由至少两层薄膜构成,并且与墨水接触的上层薄膜具有低于下层薄膜的抗墨水腐蚀性。

3.一种喷墨头基片,包括:

一形成加热部分的发热电阻元件;

一与所述发热电阻元件电连接的电极布线;

一经由绝缘保护层提供在所述发热电阻元件和所述电极布线上的抗空蚀膜;

其中所述抗空蚀膜由至少两层薄膜构成,并且与墨水接触的上层薄膜是很难在上面产生kogation的薄膜,而下层薄膜是具有高抗墨水腐蚀性的薄膜。

4.一种喷墨头基片,包括:

一形成加热部分的发热电阻元件;

一与所述发热电阻元件电连接的电极布线;

一经由绝缘保护层提供在所述发热电阻元件和所述电极布线上的抗空蚀膜;

其中所述抗空蚀膜由至少两层薄膜构成,并且与墨水接触的上层薄膜是Ta薄膜或TaAl薄膜,而下层薄膜是含Ta的非晶体合金薄膜。

5.一种喷墨头基片,包括

一形成加热部分的发热电阻元件;

一与所述发热电阻元件电连接的电极布线;

一经由绝缘保护层提供在所述发热电阻元件和所述电极布线上的抗空蚀膜;

其中所述抗空蚀膜由至少两层薄膜构成,并且与墨水接触的上层薄膜是Ta薄膜或TaAl薄膜,而下层薄膜是含Ta的非晶体合金薄膜,而且所述非晶体合金薄膜的成份包括Ta,Fe,Ni和Cr。

6.如权利要求5所述的喷墨头基片,其中所述的非晶体合金薄膜由如下成分(I)表示:

TaαFeβNiγCrδ   …(I)(然而,10at.%≤α≤30at.%,并且α+β<80at.%,而且α<β以及δ>γ,并且α+β+γ+δ=100at.%)。

7.一种喷墨头基片,包括:

一形成加热部分的发热电阻元件;

一与所述发热电阻元件电连接的电极布线;

一经由绝缘保护层提供在所述发热电阻元件和所述电极布线上的抗空蚀膜;

其中所述抗空蚀膜具有成份包括Ta,Fe,Ni和Cr的第一层以及形成于所述第一层上的由Ta制成的具有方形晶格晶体结构的第二层。

8.如权利要求7所述的喷墨头基片,其中所述的第一层由如下成分(I)表示:

TaαFeβNiγCrδ    …(I)(然而,10at.%≤α≤30at.%,并且α+β<80at.%,而且α<β以及δ>γ,并且α+β+γ+δ=100at.%)。

9.一种喷墨头,其中:

多个加热部分提供在如权利要求1至8中任何一个所述的喷墨头基片上,并且与用于喷射墨滴的喷射部分相通的液体路径对应于所述加热部分而设置。

10.如权利要求9所述的喷墨头,其中具有自由端的可动元件与每个所述液体路径一起设置,通过来自所述加热部分的热能使液体中产生的气泡的生长来移动该自由端。

11.如权利要求9所述的喷墨头,其中对于每几个液体路径,不同种类的墨水供应给所述的多个液体路径。

12.如权利要求11所述的喷墨头,其中不同种类的墨水是指至少易于发生kogation的墨水,以及具有高腐蚀性的墨水。

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