[发明专利]磁致电阻存储器模块装置

说明书

                     技术领域

本发明涉及由数量众多的存储单元区组成的MRAM模块装置，这些存储单元区均由一个具有数量众多的存储单元的存储阵列和围绕存储阵列边缘的外围电路组成，其中外围电路如此围绕存储阵列，以致在每个存储区的俯视图中都有基本上为十字形的结构。

                     背景技术

在MRAM(磁致电阻存储器)中，已知存储效应由存储单元的磁性可改变的电阻产生。图2示出在字线WL和基本上是与此垂直并保持一定间距相交的位线BL之间的这样一种MRAM存储单元。在字线WL与位线BL交叉的位置上，有一个由不变的或硬磁层HML和可变的或软磁层WML以及置于这两个层HML和WML之间的隧道阻挡层TL构成的多层系统。硬磁层HML、隧道阻挡层TL和软磁层WML构成了一个MTJ(磁隧道结或磁隧道过渡区)单元。

在这个MTJ单元中，可通过软磁层WML的磁化方向对硬磁层HML的磁化方向的转动，实现信息存储。对此所需要的磁场通过字线WL上的电流I_WL与位线BL上的电流I_BL产生。这个磁场在字线WL与位线BL交叉位置，也即在MTJ单元范围内叠加。如果两个磁层HML和WML的磁化方向相同，则MTJ单元就像图3所示的那样，具有低电阻R_C。相反，磁层HML和WML的磁化方向不相同或反平行时，则就像图4所示的那样，形成高电阻。

在磁层HML和WML上磁化方向平行和反平行之间导致的这种电阻变化，在数字存储器应用中用来进行信息存储。

当多个存储单元区重叠地堆放和均装有相应的位于中间的金属化系统时，则可达到MRAM模块装置有极高的存储密度。

尤其在各个MTJ单元中编程过程期间，为产生磁场所需电流IWL与IBL的接入，由于达到多个mA的相当高的电流密度，需要占用面积大的外围电路，这些电路尤其由围绕各个存储阵列的特别大的晶体管组成。如图5所示，必须规定这些外围电路在每个存储阵列的边缘上都采用有效的布线和短的信号路径。在此，存储阵列A被4个外围电路P围绕在其边缘上。存储阵列A以不同的平面重叠越多，这些外围电路P越大。当有足够多的存储器平面时，则就构成了图5所示的十字形结构。

外围电路除在编程过程进行电流控制的部件外，还包括其它部件，例如像控制读出电压的开关单元等等。

由存储阵列A和围绕这个存储阵列的4个外围电路P组成的图5所示的存储单元区足以存储几兆比特。具有更大容量的MRAM模块装置需要组合许多这样的存储单元区。

像从图5所看到的那样，具有十字形结构的存储单元区，不得按DRAM(动态随机存取存储器)和其它标准存储器惯用的方式简单地彼此在一块存储器芯片上组合成MRAM模块装置。由于十字形结构的角上有空白面积，形成应避免的芯片面积的很大浪费。

需要说明的是，存储单元区不一定必须具有正方形结构。在角上的空白面积也不一定如图5所示，必须是那样理想的空白。因此，应当将“十字形结构”理解为一种结构，在这种结构中，每一种情况下至少都在存储单元区的角上有一块空白面积。

                  发明内容

本发明的任务是提供一种MRAM模块装置，在该装置上，利用空白的角区面积，使存储单元区达到尽可能高的组装密度。

根据本发明，在上述类型的MRAM模块装置上，可通过以下所述完成这个任务，即存储单元区应如此相互嵌套，以致利用十字形结构的空白角面积，使模块装置达到高的组装密度。

因此，应如此排列十字形存储单元区，以使他们能相互地嵌套在一起。以此，达到明显地提高组装密度。

当不存在理想的十字形结构，而是每个存储单元区在至少一个角有一个空白面积的时候，这也是很有效的。

本发明优选的扩展方案可由从属权利要求得出。

                  附图说明

下面将用附图详细说明本发明。示图如下：

图1按照本发明的实施例，MRAM模块装置俯视方框图，

图2字线WL和位线BL之间的一个MTJ单元方框图，

图3说明磁层平行取向磁化的方框图，

图4说明磁层反平行取向磁化的方框图，

图5具有存储阵列A和外围电路P的存储单元区的俯视方框图。

图2至图5已经在上面叙述过了。

在这些图中，彼此相对应的部件均标有相同的参考符号。

                    具体实施方式