[发明专利]绝缘栅型半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种绝缘栅型半导体装置，其特征在于：

具备：在第1导电型的半导体衬底上形成的第1栅绝缘膜；与该第1栅绝缘膜邻接且具有比第1栅绝缘膜厚的膜厚的第2栅绝缘膜；在上述第1和第2栅绝缘膜上形成的栅电极；以及在离开上述栅电极的位置上形成的第2导电型的源层和漏层，

上述栅电极由在上述第1绝缘膜上形成的第1硅层和第2硅层构成，其中，上述第2硅层重叠在上述第1硅层上，同时位于上述第2栅绝缘膜的一部分上。

2.如权利要求1中所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于：

在离开第2硅层的端部的位置上形成了上述第2导电型的源层和漏层。

3.如权利要求1中所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于：

上述第1硅层是衬垫多晶硅膜。

4.如权利要求1中所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于：

在第2导电型的低浓度的源层和漏层中形成了上述第2导电型的源层和漏层。

5.如权利要求1、2、3、4的任一项中所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于：

上述第1和第2硅层由多晶硅层或非晶硅层构成。

6.一种绝缘栅型半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

在第1导电型的半导体衬底上形成的第1栅绝缘膜的工序；

在上述第1栅绝缘膜的规定区域上重叠地形成第1硅层和耐氧化性膜的工序；

利用以上述耐氧化性膜为掩模的选择氧化，形成场氧化膜和第2栅绝缘膜的工序；

在除去了上述耐氧化性膜后，在整个面上形成第2硅层的工序；

形成由残存在上述第1栅绝缘膜上的上述第1硅层和第2硅层构成的栅电极的工序，其中，上述第2硅层重叠在该第1硅层上，同时位于上述第2栅绝缘膜上；以及

在离开上述栅电极的位置上形成第2导电型的源层和漏层的工序。

7.一种绝缘栅型半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

在第1导电型的半导体衬底上形成的第2导电型的低浓度的源层和漏层的工序；

在上述半导体衬底上形成的第1栅绝缘膜的工序；

在上述第1栅绝缘膜的规定区域上重叠地形成第1硅层和耐氧化性膜的工序；

利用以上述耐氧化性膜为掩模的选择氧化，形成场氧化膜和第2栅绝缘膜的工序；

在除去了上述耐氧化性膜后，在整个面上形成第2硅层的工序；

形成由残存在上述第1栅绝缘膜上的上述第1硅层和第2硅层构成的栅电极的工序，其中，上述第2硅层被层叠在该第1硅层上，同时延伸到上述第2栅绝缘膜上；以及

在离开上述栅电极的位置上形成第2导电型的高浓度的源层和漏层的工序。

8.如权利要求6、7的任一项中所述的绝缘栅型半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述第1和第2硅层由多晶硅层或非晶硅层构成。

9.如权利要求6、7的任一项中所述的绝缘栅型半导体装置的制造方法，其特征在于：

耐氧化性膜由氮化硅构成。