[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体装置，包括：

半导体层；

形成于所述半导体层上的第1绝缘膜；

形成于所述第1绝缘膜上的第1电极层；

由贯通所述第1电极层及所述第1绝缘膜直达所述半导体层内形成的元件分离绝缘膜构成的元件分离区，所述元件分离区分离了元件区，与第1电极层自动匹配地形成所述元件分离区；

形成于所述第1电极层及所述元件分离区上的第2绝缘膜，所述第2绝缘膜上具有使所述第1电极层表面露出的开口部；

形成于第2绝缘膜上及所述第1电极层中被露出的所述表面上的第2电极层，所述第2电极层通过所述开口部与所述第1电极层电连接。

2、一种半导体装置，包括：

半导体层；

形成于所述半导体层上的第1绝缘膜；

形成于所述第1绝缘膜上的第1电极层；

由贯通所述第1电极层及所述第1绝缘膜直达所述半导体层内形成的元件分离绝缘膜构成的元件分离区，所述元件分离区分离了元件区，与第1电极层自动匹配形成所述元件分离区；

形成于所述第1电极层及所述元件分离区上的第2绝缘膜，所述第2绝缘膜上带有使所述第1电极层表面露出的开口部；

形成于所述第2绝缘膜上的第2电极层；

形成于所述第2电极层上及所述第1电极层的被露出的表面上的第3电极层，所述第3电极层通过所述开口部与所述第1电极层电连接。

3、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第1、第2电极层为NAND型快闪存储器的选择晶体管的栅电极。

4、根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述第1、第2和第3电极层为NAND型快闪存储器的选择晶体管的栅电极。

5、根据权利要求1所述的半导体装置，具有存储单元阵列区所述存储单元阵列区包括：所述半导体层；

形成于所述半导体层上的所述第1绝缘膜；

形成于所述第1绝缘膜上的所述第1电极层；

由贯通所述第1电极层及所述第1绝缘膜直达所述半导体层内形成的所述元件分离绝缘膜构成的所述元件分离区，所述元件分离区分离了元件区，与所述第1电极层自动匹配地形成所述元件分离区；

形成于所述第1电极层及所述元件分离区上的所述第2绝缘膜；

形成于所述第2绝缘膜上的所述第2电极层；

其中，所述存储单元阵列区的所述元件分离区的表面位于所述第1电极层表面以下。

6、根据权利要求2所述的半导体装置，具有存储单元阵列区，所述存储单元阵列区包括：所述半导体层；

形成于所述半导体层上的所述第1绝缘膜；

形成于所述第1绝缘膜上的所述第1电极层；

由贯通所述第1电极层及所述第1绝缘膜直达所述半导体层内形成的所述元件分离绝缘膜构成的元件分离区，所述元件分离区分离了元件区，与所述第1电极层自动匹配地形成所述元件分离区；

形成于所述第1电极层及所述元件分离区上的第2绝缘膜；

形成于所述第2绝缘膜上的所述第2电极层；

形成在所述第2电极层上的第3电极层；

其中，所述存储单元阵列区的所述元件分离区的表面位于所述第1电极层表面以下。

7、根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：在所述存储单元阵列区中，所述第1电极层具有作为浮栅的功能，所述第2电极层具有作为控制栅的功能。

8、根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：在所述存储单元阵列区中，所述第1电极层具有作为浮栅的功能，所述第2及第3电极层具有作为控制栅的功能。

9、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第1、第2电极层为形成在存储单元阵列区周边的外围电路区中的栅电极。

10、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第1、第2电极层为形成在所述存储单元阵列区周边的外围电路区中的栅电极，全部除去在所述外围电路区的所述第2绝缘膜。

11、根据权利要求1所述的半导体装置，其还包括：位于所述元件分离区上方、电连接所述第2电极层的连接部件。

12、根据权利要求2所述的半导体装置，其还包括：位于所述元件分离区上方、电连接所述第3电极层的连接部件。