[发明专利]具有分级基区的横向晶体管,半导体集成电路及制造方法

权利要求书

1.一种横向晶体管，包括：

第一导电型半导体衬底；

位于上述半导体衬底上的第二导电型的掩埋层；

位于上述第一掩埋层上的第二导电型的均匀基区；

位于上述均匀基区上的第二导电型的隔离层，隔离层从上述均匀基区的上表面伸展以便可以触及到上述掩埋层；

位于上述均匀基区内部和上表面上的第一导电型的第一和第二主电极区；以及

位于上述均匀基区内的第二导电型的分级基区，包围了第一主电极区底部和侧面，分级基区具有杂质浓度从第一主电极区向第二主电极区减小的掺杂分布。

这里，上述均匀基区和上述分级基区的组合作为第一基区。

2、如权利要求1的横向晶体管，其中，上述第二主电极区形成环形形状，这样的结构使上述第二主电极区环绕着分级基区。

3、如权利要求2的横向晶体管，其中，上述第二主电极区形成矩形环状。

4、如权利要求1的横向晶体管，进一步还包括：位于上述隔离层的上表面的基极接触层。

5、如权利要求2的横向晶体管，进一步还包括：一个与上述基极接触层相接触的基极引线。

6、包含横向晶体管的半导体集成电路，横向晶体管包括：

第一导电型半导体衬底；

位于上述半导体衬底上的第二导电型的第一掩埋层；

位于上述第一掩埋层上的第二导电型的均匀基区；

位于上述均匀基区上的第二导电型的第一隔离层，第一隔离层从上述均匀基区的上表面伸展以便可以触及到上述掩埋层；

位于上述均匀基区内部和上表面上的第一导电型的第一和第二主电极区；以及

位于上述均匀基区内的第二导电型的分级基区，包围了第一主电极区底部和侧面，分级基区具有杂质浓度从第一主电极区向第二主电极区减小的掺杂分布。

其中，上述均匀基区和上述分级基区的组合作为上述横向晶体管的第一基区。

7、如权利要求6的半导体集成电路，进一步包括一个纵向晶体管，纵向晶体管包括：

位于上述半导体衬底上的第二导电型的第二掩埋层，第二掩埋层作为上述纵向晶体管的第三主电极区的一部分；

位于上述第二掩埋层上的第二导电型的漂移区；

位于上述漂移区内的第一导电型的第二基区；

位于上述第二基区内的第二导电型的第四主电极区。

8、如权利要求7的半导体集成电路，进一步包括：一个将上述第二主电极区和第二基区连接起来的连接引线。

9、如权利要求7的半导体集成电路，进一步包括一个位于上述均匀基区和上述漂移区之间的隔离区单元。

10、如权利要求7的横向晶体管，其中，上述第二主电极区形成环形形状，这样的结构使上述第二主电极区环绕着上述分级基区。

11、如权利要求10的横向晶体管，其中，上述第二主电极区形成矩形环状。

12、如权利要求7的横向晶体管，进一步还包括位于上述隔离层的上表面的第一基极接触层。

13、如权利要求12的横向晶体管，进一步还包括一个与上述第一基极接触层相接触的第一基极引线。

14、一种制造半导体集成电路的方法，包括：

在第一导电型的半导体衬底上有选择的形成第二导电型的第一扩散区；

生长上述第一扩散区上的第二导电型的外延层以至使上述第一扩散区成为第一掩埋层；

有选择的从外延层的上表面扩散第二导电型杂质原子以形成第二导电型的第一隔离层，这样上述的第一隔离层的底部可以触及到上述第一掩埋层；

有选择的从上述外延层的上表面扩散第二导电型杂质原子以至形成第二导电型的分级基区，分级基区的横向位置与上述第一隔离层的横向位置相分离并且分级基区的纵向位置与上述第一掩埋层的纵向位置相分离，分级基区具有一个掺杂分布以至杂质浓度从分级基区的中间区域向外围区域减小；

在上述分级基区内部和上表面上形成第一导电型的第一主电极区；以及

在上述外延层的内部和上表面上形成上述第一导电型的第二主电极区，以至在上述第一和第二主电极区之间夹入分级基区。