[发明专利]通信系统用仪器和半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种通信系统用仪器，是配置在通信系统中，并具有用化合物半导体形成的有源元件的仪器，其特征在于：

所述有源元件包括：

设置在衬底上的化合物半导体层；

设置在所述化合物半导体层上，并且使作为载流子飞越区域发挥作用的至少一个第一半导体层，和含有高浓度的载流子用杂质并且其膜厚度比所述第一半导体层更薄，并且因量子效应导致在其中能分布载流子的至少一个第二半导体层相互连接在一起而构成的活性区域。

2.根据权利要求1所述的通信系统用仪器，其特征在于：

把所述第一半导体层和第二半导体层各自叠层多层。

3.根据权利要求1或2所述的通信系统用仪器，其特征在于：

所述有源元件是把所述第一半导体层配置在栅极的正下方的MESFET。

4.根据权利要求1或2所述的通信系统用仪器，其特征在于：

所述有源元件是把所述第一半导体层配置在肖特基电极的正下方的肖特基二极管。

5.根据权利要求4所述的通信系统用仪器，其特征在于：

所述有源元件是卧式的肖特基二极管。

6.根据权利要求1或2所述的通信系统用仪器，其特征在于：

所述有源元件是还包括设置在所述第一半导体层上的栅绝缘膜、设置在所述栅绝缘膜上的栅极、以及设置在所述化合物半导体层中的所述栅极两侧的源极区域和漏极区域的MISFET。

7.根据权利要求1或2所述的通信系统用仪器，其特征在于：

还包括：设置在所述化合物半导体层上的电容器和电感器。

8.根据权利要求1或2所述的通信系统用仪器，其特征在于：

所述化合物半导体层是SiC层。

9.根据权利要求1或2所述的通信系统用仪器，其特征在于：

所述仪器是通信系统的基地电台。

10.根据权利要求1或2所述的通信系统用仪器，其特征在于：

所述仪器是通信系统的移动式电台。

11.根据权利要求1或2所述的通信系统用仪器，其特征在于：

所述通信系统是携带电话、PHS、汽车电话以及PDA中的任意一种。

12.根据权利要求1或2所述的通信系统用仪器，其特征在于：

把所述有源元件配置在所述通信系统的发送部。

13.一种半导体集成电路装置，具有用化合物半导体形成的有源元件，其特征在于：

所述有源元件包括：

设置在衬底上的化合物半导体层；

设置在所述化合物半导体层上，并且使作为载流子飞越区域发挥作用的至少一个第一半导体层，和含有高浓度的载流子用杂质并且其膜厚度比所述第一半导体层更薄，并且因量子效应导致在其中能分布载流子的至少一个第二半导体层相互连接在一起而构成的活性区域。

14.根据权利要求13所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

把所述第一半导体层和第二半导体层各自多层叠层。

15.根据权利要求13或14所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述有源元件是把所述的第一半导体层配置在栅极的正下方的MESFET。

16.根据权利要求13或14所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述有源元件是把所述的第一半导体层配置在肖特基电极的正下方的肖特基二极管。

17.根据权利要求16所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述有源元件是卧式的肖特基二极管。

18.根据权利要求13或14所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述有源元件是还包括设置在所述第一半导体层上的栅绝缘膜、设置在所述栅绝缘膜上的栅极、以及设置在所述化合物半导体层中的所述栅极两侧的源极区域和漏极区域的MISFET。

19.根据权利要求13或14所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

还包括：设置在所述化合物半导体层上的电容器和电感器。

20.根据权利要求13或14所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述化合物半导体层是SiC层。