[发明专利]半导体处理系统及其控制湿度的方法

权利要求书

1.一种半导体处理系统，包括：

用一种或多种包括水蒸汽的工艺处理气体来处理半导体衬底的处理室；

用于把水汽或者一种或多种其产物母体输送到处理室的装置；

与处理室连接的排气管道；

用于检测样品区域内的水蒸汽的吸收光谱系统；和

控制处理室中水蒸汽含量的控制系统，控制系统包括响应来自吸收光谱测量系统的信号并向用于输送水蒸汽或其产物母体的装置发送控制信号的控制器。

2.根据权利要求1的半导体处理系统，其中样品区域是在处理室的下游。

3.根据权利要求1的半导体处理系统，进一步包括用于除水蒸汽外的一种或多种工艺处理体与水蒸汽或其产物母体预先混合的在处理室的上游的气体混合集气腔。

4.根据权利要求3的半导体处理系统，其中样品区域是在处理室的下游。

5.根据权利要求3的半导体处理系统，其中样品区域是在气体混合集气腔的下游和在处理室的上游。

6.根据权利要求5的半导体处理系统，进一步包括在样品区域的下游和在处理室的上游的阀门，根据来自控制器的信号控制阀门以使来自样品区域的气体能进入处理室。

7.根据权利要求3的半导体处理系统，其中样品区域是在气体混合集气腔的下游并且是与处理室平行。

8.根据权利要求7的半导体处理系统，进一步包括在混合集气腔的下游和在处理室的上游的阀门，根据来自控制器信号控制阀门以使来自混合集气腔的气体能进入处理室。

9.根据权利要求1的半导体处理系统，其中用于输送水蒸汽或其产物母体的装置包括一种起泡器，该起泡器包括装有液体水的容器和用于使携带气体进入水中起泡的携带气体进气口。

10.根据权利要求9的半导体处理系统，其中起泡器进一步包括受来自控制器的控制信号控制的加热器。

11.根据权利要求9的半导体处理系统，进一步包括在携带气体进气口上的流量控制器，受来自控制器的控制信号控制。

12.根据权利要求1的半导体处理系统，其中用于输送水蒸汽或其产物母体的装置包括一条或多条与携带气体管道连接的温敏渗气管。

13.根据权利要求12的半导体处理系统，其中一条或多条温敏渗气管包括受来自控制器的控制信号控制的加热器。

14.根据权利要求12的半导体处理系统，进一步包括在携带气体管道上的流量控制器，受来自控制器的控制信号控制。

15.根据权利要求1的半导体处理系统，其中用于输送水蒸汽或其产物母体的装置包括与氧气源连接的氧气管道和与气源连接的氢气管道。

16.根据权利要求1的半导体处理系统，其中用于输送水蒸汽或其产物母体的装置包括与液体水源连接的液体水管道。

17.根据权利要求1的半导体处理系统，其中处理室的构成氧化系统、蚀刻系统或化学气相沉积系统的部件。

18.根据权利要求17的半导体处理系统，其中处理室构成铜化学气相沉积系统的部件。

19.根据权利要求1的半导体处理系统，其中用于输送水蒸汽或其产物母体的装置包括为接收一种包括水蒸汽的气体连接的第一管道、为接收稀释气体连接的第二管道、为使包括水蒸汽的气体与稀释气体混合的连接的第一和第二管道、与处理室连接用于向处理室输送混合气体的第三管道、与第一管道连接的流量控制器和/或与第二管道连接的流量控制器，响应来自控制器的控制信号的流量控制器(S)。

20.一种用于控制半导体处理室中的水蒸汽含量的方法，包括步骤为：

把水蒸汽或者一种或多种用于形成水蒸汽的产物母体输入到处理室，在其中水蒸汽被用作工艺处理气体；

用吸收光谱，测量样品区域中的水蒸汽含量；和

根据吸收光谱测量，控制处理室中的水蒸汽含量。

21.根据权利要求20的方法，其中样品区域是在处理室的下游。

22.根据权利要求20的方法，进一步包括，使一种或多种除水蒸汽以外的气体与水蒸汽或其产物母体在处理室的上游预先混合。