[发明专利]用于检测半导体器件中的缺陷的装置及使用该装置的方法

权利要求书

1.一种用于检测半导体器件中缺陷的方法，所述半导体器件包含多个导电焊盘，该方法包括：

在多个导电焊盘中的一些导电焊盘中积聚电子；

电子积聚在多个导电焊盘中的一些导电焊盘中之后，基于从上述这些导电焊盘发射的次级电子，检测在上述这些导电焊盘之间的第一差别；

在多个导电焊盘中的一些导电焊盘中积聚空穴；

空穴积聚在多个导电焊盘中的一些导电焊盘中之后，基于从上述这些导电焊盘发射的次级电子，检测在上述这些导电焊盘之间的第二差别；和

基于第一差别和第二差别，确定在多个导电焊盘之一中是否存在缺陷。

2.权利要求1的方法，其中所述检测步骤还包括给多个导电焊盘中的一些导电焊盘施加初级电子束。

3.权利要求1的方法，其中所述积聚电子的步骤包括在多个导电焊盘中的一些导电焊盘的表面上积聚电子，以及其中所述积聚空穴的步骤包括在多个导电焊盘中的一些导电焊盘的表面上积聚空穴。

4.权利要求1的方法，其中所述积聚电子的步骤还包括通过调整给多个导电焊盘中的一些导电焊盘施加的初级电子束的能量，来积聚电子，其中所述积聚空穴的步骤还包括通过调整给多个导电焊盘中的一些导电焊盘施加的初级电子束的能量，来积聚空穴。

5.权利要求4的方法，其中所述检测步骤还包括给多个导电焊盘中的一些导电焊盘施加初级电子束。

6.权利要求1的方法，其中所述积聚电子的步骤还包括利用离子发生器积聚电子，其中所述积聚空穴的步骤还包括利用离子发生器积聚空穴。

7.权利要求1的方法，其中检测第一差别的步骤还包括检测与一个导电焊盘相联系的第一电压差别的步骤，其中检测第二差别的步骤还包括检测与该导电焊盘相联系的第二电压差别的步骤。

8.权利要求7的方法，其中检测第一差别的步骤还包括基于检测到的第一电压差别，将第一亮图像或者第一暗图像与一个导电焊盘相联系的步骤，其中检测第二差别的步骤还包括基于检测到的第二电压差别，将第二亮图像或者第二暗图像与该导电焊盘相联系的步骤。

9.权利要求8的方法，其中基于第一差别和第二差别确定在导电焊盘之一中是否存在缺陷的步骤还包括至少下列一个步骤：

当一个导电焊盘与第一暗图像和第二亮图像相联系时，确定在该导电焊盘中存在由结泄露源引起的电缺陷；

当一个导电焊盘与第一亮图像和第二暗图像相联系时，确定在该导电焊盘中存在由该导电焊盘和半导体器件的半导体衬底之间的未蚀刻接触部分引起的电缺陷；

当一个导电焊盘与第一亮图像和第二亮图像相联系时，确定在该导电焊盘中存在由该导电焊盘和半导体器件的相邻导线之间的短路引起的电缺陷；和

当一个导电焊盘与第一暗图像和第二暗图像相联系时，确定在该导电焊盘中存在物理缺陷。

10.权利要求7的方法，其中与一个导电焊盘相联系的第一电压差别的确定步骤还包括基于标准值确定第一电压差别的步骤，其中检测与一个导电焊盘相联系的第二电压差别的步骤还包括基于标准值却第二电压差别的步骤。

11.权利要求7的方法，其中确定与一个导电焊盘相联系的第一电压差别的步骤还包括基于从该导电焊盘发射的次级电子和从多个导电焊盘中的至少另一个发射的次级电子相比较，确定第一电压差别的步骤，其中与一个导电焊盘相联系的第二电压差别的检测步骤还包括基于从一个导电焊盘发射的次级电子和从多个导电焊盘的至少另一个发射的次级电子相比较，确定第二电压差别的步骤。

12.权利要求1的方法，其中检测第一差别的步骤先于检测第二差别的步骤。

13.权利要求1的方法，其中检测第二差别的步骤先于检测第一差别的步骤。

14.权利要求1的方法，其中在多个导电焊盘中的一些导电焊盘中积聚电子的步骤还包括选择在半导体器件的表面和半导体器件的背面之间产生电压差，以便在多个导电焊盘中的一些导电焊盘中积聚电子。

15.权利要求14的方法，其中在多个导电焊盘中的一些导电焊盘中积聚空穴的步骤还包括选择在半导体器件的表面和半导体器件的背面之间产生电压差，以便在上述这些导电焊盘中积聚空穴。