[发明专利]用于束曝光的掩模及其制造方法

权利要求书

1.用于束曝光的掩模，包括将用于无端图形(902)的薄膜结构(11，11A，11B)和用于有端图形(901a，901b)组合的模版结构(12，12A，12B)。

2.权利要求1所述的掩模，其中所述薄膜结构(11)和所述模版结构(12)互相粘接在一起，其特征在于，

用于所述有端图形的第一开口(2a，2b)和用于所述无端图形的凹槽(3)被形成在所述薄膜结构中，用于所述有端图形的第二开口(2a，2b)和用于含有岛的所述无端图形的第三开口(3’)被形成在所述模版结构中。

3.权利要求2所述的掩模，其特征在于，所述薄膜结构和所述模版结构各包括硅衬底(1001，1201)。

4.权利要求2所述的掩模，其特征在于，至少所述第二开口之一小于设计开口。

5.权利要求1所述的掩模，其特征在于，所述薄膜结构(11A)和所述模版结构(12A)互相粘接在一起，并且用于所述有端图形的第一开口(2a，2b)被形成在所述薄膜结构中，用于所述无端图形的第二开口(3)和用于所述有端图形的第三开口(2a，2b)被形成在所述模版结构中。

6.权利要求5所述的掩模，其特征在于，所述薄膜结构包括氮化硅层，所述模版结构包括硅衬底。

7.权利要求5所述的掩模，其特征在于，所述薄膜结构包括碳化硅层，所述模版结构包括硅衬底。

8.权利要求5所述的掩模，其特征在于，所述薄膜结构和所述模版结构包括Si-SiN-Si衬底。

9.权利要求5所述的掩模，其特征在于，至少一个所述第二开口小于设计开口。

10.权利要求1所述的掩模，其特征在于，所述薄膜结构和所述模版结构包括一个衬底，并且用于所述有端图形的开口(2a，2b)被形成在所述衬底中，用于所述无端图形的凹槽(3)被形成在所述衬底中。

11.权利要求10所述的掩模，其特征在于，所述衬底包括硅衬底。

12.用于束曝光的掩模，包括用于无端图形(902)的薄膜结构(11)和用于有端图形(901a，901b)的两个模版结构(12，12’)，所述薄膜结构被所述模版结构夹在中间，其特征在于，

用于所述有端图形的第一开口(2a，2b)和用于所述无端图形的凹槽(3)被形成在所述薄膜结构中，用于所述有端图形的第二开口(2a，2b)和用于包括其岛的所述无端图形的第三开口(3’)被形成在所述模版结构中。

13.权利要求12所述的掩模，其特征在于，所述薄膜结构和所述模版结构各包括硅衬底(1001，1201)。

14.权利要求12所述的掩模，其特征在于，至少一个所述第二开口小于设计开口。

15.用于束曝光的掩模的制造方法，包括以下步骤：

从设计图形数据(A)中抽取有端图形数据(B)和无端图形数据(C)；

使用所述有端图形数据对第一衬底(1001)进行第一光刻和腐蚀工艺，以便在所述衬底中形成第一开口(1001a，1001b)；

使用所述无端图形数据对所述第一衬底进行第二光刻和腐蚀工艺，以便在所述第一衬底中形成凹槽(1001c)；

使用所述设计数据对第二衬底(1201)进行第三光刻和腐蚀工艺，以便在所述第二衬底中形成第二开口(1201a，1201b，1201c)；和

将所述第一衬底粘接到所述第二衬底上，使所述第一开口对应于相应的一个所述第二开口。