[发明专利]一种集成电路封装用基板结构及其制造方法

说明书

发明领域

本发明涉及一种集成电路封装用基板结构及其制造方法，特别是一种应用于制作超薄之基板，并可省略塞孔步骤的基板结构及制造方法。

发明背景

芯片(IC)在经过数百道制程步骤之后，在芯片之中将形成一复杂且具有特定功能的集成电路，该芯片尚必须藉由基板的封装，才能使该芯片结合于电路板的电路。

请参阅图1，为传统技术集成电路封装用基板结构示意图，主要包括一基材10、一上电路层60a、一下电路层60b以及数个导通孔50。

该基材10为一绝缘物质，该上电路层60a设于该基材10的上侧表面，下电路层60b设于该基材10的下侧表面，所述的上、下电路层60a、60b是藉由数个贯穿基板10的导通孔50加以导通，又在上、下电路层60a、60b表面各覆盖有一层绿漆70，以作为上、下电路层60a、60b的保护层，其中上电路层60a的打线垫(图中未式)与下电路层60b的锡球垫(图中未式)是暴露于外界。在进行封装时，该基板10是将芯片20结合于基板10的上，并利用复数条金线40耦合于上电路层60a的打线垫，并在芯片20与金线40附近覆上一层封胶30，再将数个锡球80黏接于下电路层60b的锡球垫上，最后基板10再利用上述数个锡球80结合于电路板(图中未示)之上。

请参阅图2A～D，传统技术的集成电路封装用基板的制程步骤包括：

(a)提供一绝缘基板100，并以钻孔或激光方式在该基板100表面形成数个导通孔105。

(b)对上述导通孔105进行镀导通孔及上下侧表面分别镀上一层面铜110，120。

(c)对上、下侧表面的面铜110，120进行电路蚀刻以形成上、下电路层110a，120a，其中上、下电路层110a，120a的间是藉由上述导通孔105做为导通的桥梁。

(d)以绝缘树脂或导电胶140对上述导通孔105进行塞孔，以形成导通孔105a结构。

(e)最后再将绿漆150覆盖于基板100的上、下电路层110a，120a表面，并预留部份作为打线垫及锡球垫区域(图中未标示)。

以上所述是为传统技术的集成电路封装用基板的制程与结构，然，传统技术的基板-尤其是制作超薄板(0.1mm～0.04mm)及微小通孔时，因为在进行导通孔塞孔时，困难度极高，亦容易造成塞孔不实，且易产生空泡，严重影响生产品质与数量。

由上述说明可知，利用传统技术的制程所制造的集成电路封装用基板，尤其是制造超薄板时，会有导通孔塞孔不易，制程困难，可靠度不佳等缺点。

发明内容

本发明的目的是提供一种集成电路封装用基板制造方法，以蚀刻、电镀等方式，在一核心绝缘层及一实心铜箔中完成电路层的导通，不须作传统塞孔步骤，便不会有制程上的困扰以及塞孔可靠度问题。

本发明的另一目的在于提供一种用上述方法制造的集成电路封装用基板结构。

根据本发明的一个方面，本发明所提供的一种集成电路封装用基板制造方法包括以下步骤：

(a)提供一铜箔基材，以蚀刻等方式定义出数个导体柱；

(b)将一核心绝缘层与该铜箔基材作压合，压合后导体柱一端埋在该核心绝缘层内；

(c)开启各该导体柱上方的核心绝缘层，形成数个盲孔；

(d)以电镀铜方式镀满或镀上一层于各该盲孔，并于核心绝缘层上侧表面镀上一层面铜；

(e)蚀刻定义出上、下电路层；

此外，还包括步骤(f)：在该上、下电路层分别覆盖上一层电路保护层。

较佳者，以电镀铜方式镀上一层于各该盲孔之后，可在所述核心绝缘层欲作为芯片置放区下方的数个盲孔，形成数个焊锡凸块(SolderBump)。

根据本发明的另一个方面，本发明所提供的一种集成电路封装用基板的结构包括：一核心绝缘层，该核心绝缘层的上、下二侧分别具有上、下电路层；其中上、下电路层是以数个嵌埋于该绝缘层的盲孔与其相对应的导体柱形成电性连接。

为了为了能够进一步了解本发明的目的、特征及功效，下面结合附图对本发明进行详细说明。

附图说明

图1是传统集成电路封装用基板结构示意图。

图2A～图2D是传统集成电路封装用基板的制程示意图。

图3A～图3H是本发明第一实施例集成电路封装用基板制程示意图。

图4A～图4H是本发明第二实施例集成电路封装用基板制程示意图。

图5A～图5G是本发明第三实施例集成电路封装用基板制程示意图。