[发明专利]带突起的线路板及其制造方法无效
申请号: | 01137241.9 | 申请日: | 2001-10-03 |
公开(公告)号: | CN1346147A | 公开(公告)日: | 2002-04-24 |
发明(设计)人: | 金田丰 | 申请(专利权)人: | 索尼化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 栾本生,叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 突起 线路板 及其 制造 方法 | ||
1.一种带突起的线路板,在布线电路的一面上形成覆盖包覆层,在另一面形成绝缘层,使与布线电路导通的突起从该绝缘层突出,其特征在于,从一个金属箔整体地形成布线电路和突起,并且,突起的顶端表面的表面粗糙度为0.2~20μm。
2.根据权利要求1所述的带突起的线路板,其特征在于,在布线电路的突起形成面与绝缘层之间设置由与金属箔不同的金属组成的金属薄膜层。
3.根据权利要求2所述的带突起的线路板,其特征在于,绝缘层是对聚酰亚胺前体层进行酰胺化的聚酰亚胺膜,金属薄膜层呈现比金属箔更高的对聚酰亚胺前体层的粘接力。
4.根据权利要求1~3任一项所述的带突起的线路板,其特征在于,在覆盖包覆层上设置用于能够从覆盖包覆层对布线电路进行接触的连接口。
5.一种带突起的线路板的制造方法,在布线电路上形成顶端表面的表面粗糙度为0.2~20μm的突起,其特征在于,包含以下工序:
(a)在具有布线电路的厚度与将要在布线电路上形成的突起的高度的合计厚度的,表面粗糙度为0.2~20μm的金属箔的突起形成面上层叠保护薄膜,在金属箔的布线电路形成面上形成布线电路形成用腐蚀掩模;
(b)从布线电路形成用腐蚀掩模侧半腐蚀金属箔,而形成所希望厚度的布线电路;
(c)在除去布线电路形成用腐蚀掩模后,在布线电路上设置覆盖包覆层;
(d)在除去设在金属箔的突起形成面上的保护薄膜之后,在突起形成面上形成突起形成用腐蚀掩模;
(e)从突起形成用腐蚀掩模侧半腐蚀金属箔,而形成所希望高度的突起;
(f)在除去突起形成用腐蚀掩模之后,形成聚酰亚胺前体层,以便于埋入突起;
(g)腐蚀聚酰亚胺前体层,进行酰胺化而形成所希望厚度的绝缘层。
6.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,在工序(f)中,在除去突起形成用腐蚀掩模之后,形成由与金属箔不同的金属组成的金属薄膜层,在该金属薄膜层上形成聚酰亚胺前体层以便于埋入突起。
7.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于,金属薄膜层呈现比金属箔更高的对聚酰亚胺前体层的粘接力。
8.一种带突起的线路板的制造方法,在布线电路上形成顶端表面的表面粗糙度为0.2~20μm的突起,其特征在于,包含以下工序:
(aa)在具有布线电路的厚度与将要在布线电路上形成的突起的高度的合计厚度的,表面粗糙度为0.2~20μm的金属箔的布线电路形成面上层叠保护薄膜,在金属箔的突起形成面上形成突起形成用腐蚀掩模;
(bb)从突起形成用腐蚀掩模侧半腐蚀金属箔,而形成所希望厚度的突起;
(cc)在除去突起形成用腐蚀掩模后,形成聚酰亚胺前体层,以便于埋入突起;
(dd)腐蚀聚酰亚胺前体层,进行酰胺化而形成所希望厚度的绝缘层;
(ee)在除去设在金属箔的布线电路形成面上的保护薄膜之后,在布线电路形成面上形成布线电路形成用腐蚀掩模;
(ff)从布线电路形成用腐蚀掩模侧半腐蚀金属箔,而形成所希望厚度的布线电路;
(gg)在除去布线电路形成用腐蚀掩模后,在布线电路上设置覆盖包覆层。
9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,在工序(cc)中,在除去突起形成用腐蚀掩模之后,形成由与金属箔不同的金属组成的金属薄膜层,在该金属薄膜层上形成聚酰亚胺前体层以便于埋入突起。
10.根据权利要求9所述的制造方法,其特征在于,金属薄膜层呈现比金属箔更高的对聚酰亚胺前体层的粘接力。
11.一种在一个金属箔上与布线电路一体地形成突起的突起形成方法,其特征在于,在具有布线电路的厚度与将要在布线电路上形成的突起的高度的合计厚度的,表面粗糙度为0.2~20μm的金属箔的突起形成面上形成突起形成用腐蚀掩模,从突起形成用腐蚀掩模侧把金属箔半腐蚀到相当于所希望的突起高度的深度,由此,形成顶端表面的表面粗糙度为0.2~20μm的突起。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造