[发明专利]单端电路的快速设定的低功率的偏置装置和方法

权利要求书

1.一种具有一个输入节点和一个输出节点的低噪声放大器，其特征在于包括：

一个输入功率匹配电路，它包括一个滤波器和一个隔直流电容器，该所述输入节点被耦合到所述滤波器，所述滤波器被耦合到所述隔直流电容器；

一个具有基极、集电极和发射极的输出晶体管，基极被耦合到隔直流电容器，集电极被耦合到输出节点；

具有一个偏置电阻器的偏置电路，偏置电路被耦合到输出晶体管的基极，使得偏置电路消除输出晶体管的基极散粒噪声和偏置电阻器的噪声；

耦合到输出晶体管的发射极的简并电感；以及

耦合到输出节点的负载阻抗。

2.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，滤波器包括一电容器和一电感器，电容器被耦合到输入节点，电感器被耦合到隔直流电容器。

3.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，偏置电路包括一电流镜面电路、电流参考源、偏置电阻器和射极跟随器电路，电流参考源被耦合到电流镜面电路，射极跟随器电路被耦合到电流镜面电路，电流镜面电路被耦合到偏置电阻器。

4.如权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于，射极跟随器电路包括电流源、电容器和具有基极、集电极和发射极的第一晶体管，电流源和电容器被耦合到第一晶体管的发射极。

5.如权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于，电流镜面电路包括第二电阻器、第一和第二电流镜面晶体管，每个晶体管具有各自的基极、集电极和发射极，第一电流镜面晶体管的基极和第二电流镜面晶体管的集电极被耦合到参考电流源，第二电阻器被耦合在第二电流镜面晶体管的基极与第一电流镜面晶体管的发射极之间，第一电流镜面晶体管的发射极被耦合到偏置电阻器。

6.一种具有一个输入节点、一个输出节点、一个电源线和地的单端电路，其特征在于包括：

(a)耦合于输入节点的第一电感器；

(b)耦合在第一电阻器与地之间的第一电容器；

(c)串联耦合于第一电感器的隔直流电容器；

(d)偏置电路，包括：

  (i)具有基极、发射极和集电极的第一晶体管，第一晶体管的集电极被耦合到电源线；

  (ii)耦合在第一晶体管的发射极与地之间的第一电流源；

  (iii)耦合在电源线与第一晶体管基极之间的参考电流源；

  (iv)具有基极、发射极和集电极的第二晶体管，第二晶体管的集电极被耦合到参考电流源，而第二晶体管的发射极被耦合到地；

  (v)耦合在第一晶体管的发射极与第二晶体管的基极之间的第二电容器；

  (vi)具有基极、发射极和集电极的第三晶体管，集电极被耦合到电源线，基极被耦合到第一晶体管的集电极；及

  (vii)耦合在第二晶体管的基极与第三晶体管的发射极之间的第二电阻器；

(e)耦合在第二电阻器与隔直流电容器之间的第三电阻器；

(f)具有基极、发射极和集电极的第四晶体管，基极被耦合到第三晶体管，集电极被耦合到输出节点；

(g)耦合在第四晶体管的发射极与地之间的第二电感器；以及

(h)耦合在电源线与输出节点之间的第三电感器。

7.一种滤除噪声的偏置电路，其特征在于包括：

(a)射极跟随器电路，包括：

  (i)具有基极、集电极和发射极的第一晶体管；

  (ii)耦合在第一晶体管的发射极与地之间的电流源；

  (iii)耦合到第一晶体管的发射极的电容器；

(b)耦合到射极跟随器电路的电流镜面电路，该电流镜面电路包括：

  (i)具有基极、集电极和发射极的第二晶体管，第二晶体管的集电极耦合到电源线，第二晶体管的基极耦合到第一晶体管的基极；

  (ii)具有基极、集电极和发射极的第三晶体管，第三晶体管的集电极耦合到第二晶体管的基极，第三晶体管的基极耦合到电容器，第三晶体管的发射极耦合到地；

  (iii)耦合在第二晶体管的发射极与第三晶体管的基极之间的电阻器；

(c)耦合在电源线与第二和第三晶体管的基极之间的电流参考源。