[发明专利]化学吸附液及用该化学吸附液的化学吸附膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 01138496.4 申请日: 2001-11-14
公开(公告)号: CN1357584A 公开(公告)日: 2002-07-10
发明(设计)人: 小川一文 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: C09D183/04 分类号: C09D183/04;C09D5/00;G02F1/13
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 魏金玺,杨丽琴
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 化学 吸附 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种化学吸附溶液,它是在非水系有机溶剂中溶解硅烷类化学吸附物质的化学吸附溶液,其特征在于,所述非水系有机溶剂是含第一种非水系有机溶剂和沸点比所述第一种非水系有机溶剂高的第二种非水系有机溶剂的混合溶剂。

2.按照权利要求1所述的化学吸附液,其中,所述的混合溶剂中的第二种非水系有机溶剂的存在量在0.1重量%以上20重量%以下的范围。

3.按照权利要求2所述的化学吸附液,其中,所述的混合溶剂中的第二种非水系有机溶剂的存在量在1重量%以上10重量%以下的范围。

4.按照权利要求1所述的化学吸附液,其中,所述的第一种非水系有机溶剂与第二种非水系有机溶剂的沸点差具有10℃以上200℃以下的范围。

5.按照权利要求4所述的化学吸附液,其中,所述的第一种非水系有机溶剂与第二种非水系有机溶剂的沸点差具有20℃以上100℃以下的范围。

6.按照权利要求1所述的化学吸附液,其中,所述的第一种非水系有机溶剂的沸点是65℃以上120℃以下。

7.按照权利要求1所述的化学吸附液,其中,所述的第一种非水系有机溶剂的沸点是100℃以上120℃以下。

8.按照权利要求1所述的化学吸附液,其中,所述的第二种非水系有机溶剂的沸点是150℃以上。

9.按照权利要求1所述的化学吸附液,其中,所述的化学吸附物质含有选自直链状碳链和硅氧烷键合链中的至少一种和从氯甲硅烷基、烷氧基甲硅烷基和异氰酸酯甲硅烷基中选出的至少一种甲硅烷基。

10.一种化学吸附膜的制备方法,其包括,

把硅烷类化学吸附物质溶解于含有第一种非水系有机溶剂和沸点比所述的第一种非水系有机溶剂高的第二种非水系有机溶剂的混合溶剂中,调制化学吸附溶液;

把所述化学吸附溶液附着于基材的表面上;

使所述基材上附着的所述化学吸附溶液中的所述第二种非水系有机溶剂残留而所述第一种非水系有机溶剂优先蒸发并浓缩,同时使所述化学吸附溶液中的化学吸附分子的端部与所述基材的表面化学键合;

通过使用清洗用溶剂清洗所述基材的表面以除去残存于所述基材上的所述化学吸附溶液。

11.按照权利要求10所述的化学吸附膜的制备方法,其中,所述基材的表面上露出亲水性基团。

12.按照权利要求10所述的化学吸附膜的制备方法,其中,通过将清洗了的所述基材表面按特定的方向倾斜除去附着在所述基材表面的清洗用溶剂的轧液,使固定于所述基材表面的所述化学吸附物质的分子按轧液方向取向。

13.按照权利要求10所述的化学吸附膜的制备方法,其中,所述混合溶剂中含有的上述第二种非水系有机溶剂的量,相对于上述混合溶剂是0.1重量%以上20重量%以下的范围。

14.按照权利要求13所述的化学吸附膜的制备方法,其中,所述混合溶剂中的第二种非水系有机溶剂的存在量是1重量%以上10重量%以下的范围。

15.按照权利要求10所述的化学吸附膜的制备方法,其中,所述的第一种非水系有机溶剂与第二种非水系有机溶剂的沸点差具有10℃以上200℃以下的范围。

16.按照权利要求15所述的化学吸附膜的制备方法,其中,所述的第一种非水系有机溶剂与第二种非水系有机溶剂的沸点差具有20℃以上100℃以下的范围。

17.按照权利要求10所述的化学吸附膜的制备方法,其中,所述的第一种非水系有机溶剂的沸点是65℃以上120℃以下。

18.按照权利要求10所述的化学吸附膜的制备方法,其中,所述的第一种非水系有机溶剂的沸点是100℃以上120℃以下。

19.按照权利要求10所述的化学吸附膜的制备方法,其中,所述的第二种非水系有机溶剂的沸点是150℃以上。

20.按照权利要求10所述的化学吸附膜的制备方法,其中,所述的第一种非水系有机溶剂是甲基硅氧烷类溶剂。

21.按照权利要求10所述的化学吸附膜的制备方法,其中,所述的第一种非水系有机溶剂是烃类溶剂。

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