[发明专利]用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造具有至少一个薄膜晶体管的半导体器件的方法，所述方法包括步骤：

在一个绝缘表面上形成包括硅的一个半导体膜；

用一个具有在一个方向上的伸长的横截面的线状激光束辐照所述半导体膜；

在垂直于所述线状激光束的伸长的横截面的伸长方向的一个方向上移动所述半导体膜，据此使所述半导体膜结晶；

在所述结晶的半导体薄膜上构图，以形成所述薄膜晶体管的一个工作层，

其中，所述结晶的半导体薄膜包含浓度为1×10¹⁷至5×10¹⁹原子/cm^-3的氢，分别有浓度为1×10¹⁶至5×10¹⁸原子/cm^-3的碳和氮，和浓度为1×10¹⁷至5×10¹⁹原子/cm^-3的氧。

2.一种用于制造具有至少一个薄膜晶体管的半导体器件的方法，所述方法包括步骤：

在一个绝缘表面上形成包括硅的一个半导体膜；

用一个具有在一个方向上的伸长的横截面的线状激光束辐照所述半导体膜；

在垂直于所述线状激光束的伸长的横截面的伸长方向的一个方向上移动所述半导体膜，据此使所述半导体膜结晶；

在所述结晶的半导体薄膜上构图，以形成所述薄膜晶体管的一个工作层，

其中，所述结晶的半导体薄膜包含浓度为1×10¹⁷至5×10¹⁹原子/cm^-3的氢，分别有浓度为1×10¹⁶至5×10¹⁸原子/cm^-3的碳和氮，和浓度为1×10¹⁷至5×10¹⁹原子/cm^-3的氧，并且

其中，所述工作层不包括任何线缺陷和任何面缺陷。

3.一种用于制造具有至少一个薄膜晶体管的半导体器件的方法，所述方法包括步骤：

在一个绝缘表面上形成包括硅的一个半导体膜；

向所述半导体膜提供一种金属元素，用于加速所述半导体膜；

用一个具有在一个方向上的伸长的横截面的线状激光束辐照所述半导体膜；

在垂直于所述线状激光束的伸长的横截面的伸长方向的一个方向上移动所述半导体膜，据此使所述半导体膜结晶；

在所述结晶的半导体薄膜上构图，以形成所述薄膜晶体管的一个工作层，

其中，所述结晶的半导体薄膜包含浓度为1×10¹⁷至5×10¹⁹原子/cm^-3的氢，分别有浓度为1×10¹⁶至5×10¹⁸原子/cm^-3的碳和氮，和浓度为1×10¹⁷至5×10¹⁹原子/cm^-3的氧。

4.一种用于制造具有至少一个薄膜晶体管的半导体器件的方法，所述方法包括步骤：

在一个绝缘表面上形成包括硅的一个半导体膜；

用一个具有在一个方向上的伸长的横截面的线状激光束辐照所述半导体膜；

在垂直于所述线状激光束的伸长的横截面的伸长方向的一个方向上移动所述半导体膜，据此使所述半导体膜结晶；

在所述结晶的半导体薄膜上构图，以形成所述薄膜晶体管的一个工作层，

其中，所述结晶的半导体薄膜包含浓度为1×10¹⁷至5×10¹⁹原子/cm^-3的氢，分别有浓度为1×10¹⁶至5×10¹⁸原子/cm^-3的碳和氮，和浓度为1×10¹⁷至5×10¹⁹原子/cm^-3的氧，

其中，在所述线状激光束的辐照期间，在400至600℃的温度加热所述半导体膜。