[发明专利]具有平面发射区和聚焦结构的电子源有效
| 申请号： | 01139500.1 | 申请日： | 2001-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1372290A | 公开（公告）日： | 2002-10-02 |
| 发明（设计）人： | H·P·顾;H·比雷基;S·T·林;S·L·纳伯惠斯 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;H01J3/02;G11B9/10;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 罗朋,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 平面 发射 聚焦 结构 电子 | ||
1.一种电子源(102)包括：
平面电子发射区(114)；以及
用于该发射区的聚焦结构(118，120)
2.权利要求1的电子源，其中该平面电子发射区(114)是一个多孔区。
3.权利要求2的电子源，其中的多孔区位于在活性衬底上的一层中；以及其中在该层表面有形成图案的掩膜，在该图案化的掩膜中的开孔限定了发射区。
4.权利要求2的电子源其中的电子源(102)还包括具有与多孔区对齐的活性区(106)的衬底(104)。
5.权利要求1的电子源，其中的聚焦结构(118，120)包括光阑(122)电子束通过该光阑被聚焦；以及其中该发射区(114)的尺寸小于聚焦结构的光阑(122)的尺寸。
6.权利要求5的电子源，其中发射区(114)不大于聚焦结构光阑(122)尺寸的95％。
7.权利要求1的电子源，还包括在发射区(114)上的导电层(124)。
8.权利要求1的电子源，其中的发射区(114)被局限于小于可以获得的发射总面积的1％的面积之内。
9.权利要求1的电子源，其中的聚焦结构包括半导体层上的第一电极(116)、第一电极(116)上的绝缘层(118)，以及绝缘层上的第二电极(120)；延伸贯穿电极(116，120)和绝缘层(120)的开孔(122)，该开孔暴露出发射区(114)。
10.权利要求9的电子源，其中的聚焦结构还包括在第二电极(120)上的第二绝缘层(304)以及在第二绝缘层(304)上的第三电极(306)，开孔(308)延伸贯穿第二绝缘层(304)和第三电极(306)。
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