[发明专利]卤化银乳液无效

专利信息
申请号: 01140626.7 申请日: 2001-09-18
公开(公告)号: CN1344974A 公开(公告)日: 2002-04-17
发明(设计)人: 高田宏;日置克彦 申请(专利权)人: 柯尼卡株式会社
主分类号: G03C1/015 分类号: G03C1/015;G03C1/035;G03C1/07
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 黄淑辉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 卤化 乳液
【说明书】:

发明领域

本发明涉及一种卤化银乳液、该卤化银乳液的制备方法和利用该卤化银乳液的卤化银照相材料。

发明背景

虽然卤化银照相材料(此后也称为照相材料)是一种已高度完善的成熟产品,但其许多性能仍需要提高,例如感光度的提高、更好的成像质量和储存后最小的性能变化。此外,还需要通过加速显影来提高对快速存取的适应性,且近来对其水平的要求已变得更高。特别是针对感光度的提高,以保持卤化银照相材料对数码相机技术近期发展的优势,需要进一步提高与储存稳定性相匹配的感光度,同时将灰雾度保持在低的水平。

为达到进一步提高的感光度和优良的成像质量,开发出了提高在卤化银乳液(此后也称为乳液)中感光度/每个卤化银颗粒尺寸之比的技术。正如通常所知,包含在卤化银乳液中的卤化银颗粒具有不同的颗粒形状,如立方体、八面体或四面体、规则结晶的卤化银颗粒、具有单个双晶面或数个平行双晶面的片状卤化银颗粒、具有非平行双晶面的四锥体状或针状卤化银颗粒。特别是片状卤化银颗粒(此后称为片状颗粒)被推测具有如下照相性能方面的优点:

1、颗粒表面积与颗粒体积之比(此后称为比表面积)较大,因此能使较大量的感光染料吸附在颗粒表面,从而提高相对固有感光度的光谱感光度。

2、当涂覆和干燥片状颗粒乳液时,将片状颗粒沿平行于支持物表面的方向排列,由此可降低涂覆层厚度,且能提高照相材料的清晰度。

3、卤化银颗粒的光散射得到降低,使得图象的分辨率有所提高;

4、兰光感光度(固有感光度)较低,从而使得在同时包括绿-感光层或红-感光层处,黄过滤层的密度可被降低或可将黄滤料从照相材料中除去;

5、通过相对常规颗粒的低银覆盖可达到一个给定的感光度,使得感光度/粒度之比提高且具有优良的抗天然辐射性。

涉及片状颗粒、尤其涉及其制备方法和工艺的现有技术,如下所述,例如有:USP4,434,226、4,439,520、4,414,310、4,433,048、4,414,306、4,459,353;JP-B4-36347、5-16015、6-44132(此后术语JP-B指已公开的日本专利)、JP-A6-43605、6-43606、6-214331、6-222488、6-230493和6-258745(此后术语JP-A指未审查的公开日本专利申请)。

为实现上述片状颗粒的优点,采用具有较高纵横比(aspect ratio)的片状颗粒是有效的。正如本领域所公知的,碘化物含量的增加使得制备具有高纵横比的片状颗粒更加困难,从而大多数由前述现有技术制备的片状颗粒为溴化银或碘化物含量较低的碘溴化银(iodobromidesilver)。然而低碘化物卤化银颗粒表现出较高的显影活性,并且此外由于颗粒形状因素的原因,高纵横比片状颗粒能进一步促进显影。结果是,很容易发生由天然辐射引起的颗粒形状的变劣或对颗粒的影响,这使得具有较高纵横比的片状颗粒难以实现其固有的优点。进一步,具有较高纵横比的片状颗粒的颗粒尺寸的波动性有增加的趋势,使优化其化学感光或光谱感光变得困难,并且会导致对比度或色密度的降低。

JP-A6-230491公开的片状颗粒,其颗粒边缘部分的碘化物含量为中心部分的1.5-50倍,且其纵横比为8-100。然而,该技术是将高碘化物相设置在边缘部分,使得其对化学感光的适应性降低,导致了感光度和对比度的降低。JP-A6-235988公开的具有多结构的片状颗粒,其包括一内壳、一含有较高碘化物的中间壳和一最外层壳,其纵横比为3-100。然而,已证明该中间壳外部的具有较低碘化物含量的最外层壳导致颗粒制备中较大部分问题的原因,所以由于具有高纵横比的片状颗粒使得加速显影导致了粒度的变劣。由于前述原因,使得具有较高纵横比的片状颗粒的优点不能得以实现。

通常,片状颗粒是通过包括成核、熟化和生长步骤的工艺来形成的。事实上仅在成核阶段选择性形成片状成核颗粒是不可行的,使得非片状核子颗粒的颗粒需要在熟化阶段消失。因此,该成核和熟化阶段将极大地影响颗粒尺寸的均匀性或片状颗粒的纵横比。

JP-A6-230491和6-230493公开了一种制备具有较高纵横比的片状颗粒的方法,值得注意的是在成核阶段,低分子量明胶被用于成核阶段,并且在反应釜中成核阶段的成核时间“t”(秒)和温度“T”(℃)满足以下的关系:1<t<-T+90。然而,在此虽然成核温度限定为20-60℃,优选30-60℃,但并未教导在低于20℃的温度下进行成核。

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