[发明专利]清除三光束返回光的影响的半导体激光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光装置，其特征在于包括：

具有射出激光束的出射面的半导体激光芯片；以及

具有第一面和与该第一面垂直的至少一个第二面的、在上述第一面上设有上述半导体激光芯片的次底座，

上述至少一个第二面之中的与上述半导体激光芯片的上述出射面并列的第二面相对于上述出射面以3～30度的角度倾斜，上述倾斜的第二面反射上述半导体激光芯片射出的激光束经衍射后的分光束的反射光。

2.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：上述倾斜的第二面的相对于上述出射面的角度设定为3～15度。

3.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：上述次底座的平面形状是长方形和正方形中的一个。

4.如权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于：上述次底座的平面形状是平行四边形。

5.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：上述半导体激光芯片是长方形和正方形中的一个。

6.如权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于：上述半导体激光芯片的厚度为60～150μm。

7.如权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于：上述次底座的材料为AlN、SiC、Si中的一个。

8.如权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于：上述半导体激光芯片和次底座的平面形状是长方形和正方形中的一个，上述半导体激光芯片相对于上述次底座旋转上述角度设置，上述次底座设置在主干上，上述半导体激光芯片的各边与上述主干的各边平行。

9.一种半导体激光装置，其特征在于包括：

具有射出两个激光束的出射面的半导体激光芯片；以及

具有第一面和与该第一面垂直的至少一个第二面的、在上述第一面上设有上述半导体激光芯片的次底座，

上述至少一个第二面之中的与上述半导体激光芯片的上述出射面并列的第二面相对于上述出射面以3～30度的角度倾斜，上述倾斜的第二面反射上述半导体激光芯片射出的激光束经衍射后的分光束的反射光。

10.如权利要求9所述的半导体激光装置，其特征在于：上述半导体激光芯片发射具有第一波长的第一激光束和具有第二波长的第二激光束。

11.如权利要求10所述的半导体激光装置，其特征在于：上述第一波长为780nm波带，上述第二波长为650nm波带。

12.如权利要求9所述的半导体激光装置，其特征在于：上述半导体激光芯片具有第一、第二电极，上述次底座在第一面上具有和上述第一、第二电极相连接的第三、第四电极。

13.如权利要求12所述的半导体激光装置，其特征在于：上述上述次底座在上述第三、第四电极之间有狭缝。

14.如权利要求9所述的半导体激光装置，其特征在于：上述倾斜的第二面的相对于上述出射面的角度设定为3～15度。

15.如权利要求9所述的半导体激光装置，其特征在于：上述次底座的平面形状是长方形和正方形中的一个。

16.如权利要求15所述的半导体激光装置，其特征在于：上述次底座的平面形状是平行四边形。

17.如权利要求9所述的半导体激光装置，其特征在于：上述半导体激光芯片是长方形和正方形中的一个。

18.如权利要求17所述的半导体激光装置，其特征在于：上述半导体激光芯片的厚度为60～150μm。

19.如权利要求16所述的半导体激光装置，其特征在于：上述次底座的材料为AlN、SiC、Si中的一个。

20.如权利要求9所述的半导体激光装置，其特征在于：上述半导体激光芯片和次底座的平面形状是长方形和正方形中的一个，上述半导体激光芯片相对于上述次底座旋转3～30度的角度设置，上述次底座设置在主干上，上述半导体激光芯片的各边与上述主干的各边平行。