[发明专利]层叠型半导体器件

权利要求书

1.一种层叠型半导体器件，由包含半导体集成电路芯片且具有规格的多个半导体集成电路器件层叠而成，其中：

上述半导体集成电路器件中的至少三个以上的预定的半导体集成电路器件按上述规格的值的大小的顺序进行层叠。

2.如权利要求1所述的层叠型半导体器件，其中：上述半导体集成电路器件还包括基板，在上述基板上搭载上述半导体集成电路芯片。

3.如权利要求1所述的层叠型半导体器件，其中：上述规格是上述半导体集成电路芯片的规格。

4.如权利要求1所述的层叠型半导体器件，其中：上述预定的半导体集成电路器件连续地层叠。

5.如权利要求1所述的层叠型半导体器件，其中：上述预定的半导体集成电路器件夹着上述预定的半导体集成电路器件以外的半导体集成电路器件进行层叠。

6.如权利要求1所述的层叠型半导体器件，其中：上述预定的半导体集成电路器件包括上述半导体集成电路器件中的最下层的和最上层的半导体集成电路器件中的至少一个。

7.如权利要求1所述的层叠型半导体器件，其中：相邻的上述半导体集成电路器件之间通过贯通上述半导体集成电路器件的导电材料电气连接。

8.如权利要求1所述的层叠型半导体器件，其中：上述规格从耗电量、工作电压、工作电压数、工作电流、保证工作温度、产生电磁波量、工作频率、尺寸、接线端子数目、接线端子间距、厚度、与搭载上述半导体集成电路器件的基板的信号收发量、与外界的信号收发量中选择。

9.一种层叠型半导体器件，由至少三个包含半导体集成电路芯片且具有规格的半导体集成电路器件层叠而形成，其中：

上述半导体集成电路器件中的最下层的或最上层的半导体集成电路器件的规格的值为最小或最大。

10.如权利要求9所述的层叠型半导体器件，其中：上述半导体集成电路器件还包括基板，在上述基板上搭载上述半导体集成电路芯片。

11.如权利要求9所述的层叠型半导体器件，其中：上述规格是上述半导体集成电路芯片的规格。

12.如权利要求9所述的层叠型半导体器件，其中：相邻的上述半导体集成电路器件之间通过贯通上述半导体集成电路器件的导电材料电气连接。

13.如权利要求9所述的层叠型半导体器件，其中：上述规格从耗电量、工作电压、工作电压数、工作电流、保证工作温度、产生电磁波量、工作频率、尺寸、接线端子数目、接线端子间距、厚度、与搭载上述半导体集成电路器件的基板的信号收发量、与外界的信号收发量中选择。

14.一种层叠型半导体器件，由至少两个包含半导体集成电路芯片且具有规格的半导体集成电路器件层叠而形成，其中：

相邻的上述半导体集成电路器件之间通过贯通上述半导体集成电路器件的导电材料电气连接，上述半导体集成电路器件中的最下层的或最上层的半导体集成电路器件的除尺寸之外的规格的值为最小或最大。

15.如权利要求14所述的层叠型半导体器件，其中：上述半导体集成电路器件还包括基板，在上述基板上搭载上述半导体集成电路芯片。

16.如权利要求14所述的层叠型半导体器件，其中：上述规格是上述半导体集成电路芯片的规格。

17.如权利要求14所述的层叠型半导体器件，其中：上述导电材料贯通上述半导体集成电路芯片或搭载上述半导体集成电路芯片的基板。

18.如权利要求14所述的层叠型半导体器件，其中：上述规格从耗电量、工作电压、工作电压数、工作电流、保证工作温度、产生电磁波量、工作频率、接线端子数目、接线端子间距、厚度、与搭载上述半导体集成电路器件的基板的信号收发量、与外界的信号收发量中选择。