[发明专利]磷化镓发光组件的制造方法以及制造装置

权利要求书

1.一种磷化镓发光组件的制造方法，系具有一磷化镓层之液相磊晶生长制程；其特征在于，

前述液相磊晶生长制程，系包含一以氨气为氮源使用之氮掺杂之磷化镓层之生长制程，在该氮掺杂之磷化镓层生长之际，让前述液相磊晶生长暂时停止，在该状态下将前述周围环境气氛之氨浓度做阶段性或连续性的增加。

2.如权利要求1所述的磷化镓发光组件的制造方法，其特征在于，系将前述周围环境气氛之氨浓度以阶段性或连续性方式增加到目标浓度之后，保持于该目标浓度。

3.如权利要求1所述的磷化镓发光组件的制造方法，其特征在于，在前述周围环境气氛之氨浓度中存在一会于前述氮掺杂之磷化镓层形成内部具有空洞之突起状缺陷的临界浓度，而让前述周围环境气氛之氨浓度，自较该临界浓度为低之浓度侧往较该临界浓度为高之浓度侧做阶段性或连续性的增加。

4.如权利要求2所述的磷化镓发光组件的制造方法，其特征在于，在前述周围环境气氛之氨浓度中存在一会于前述氮掺杂之磷化镓层形成内部具有空洞之突起状缺陷的临界浓度，而让前述周围环境气氛之氨浓度，自较该临界浓度为低之浓度侧往较该临界浓度为高之浓度侧做阶段性或连续性的增加。

5.如权利要求1所述的磷化镓发光组件的制造方法，其特征在于，对前述周围环境气氛供给氨气之际，将前述周围环境气氛之氨浓度维持在低于前述临界浓度的时间系较维持在高于前述临界浓度的时间为长。

6.如权利要求2所述的磷化镓发光组件的制造方法，其特征在于，对前述周围环境气氛供给氨气之际，将前述周围环境气氛之氨浓度维持在低于前述临界浓度的时间系较维持在高于前述临界浓度的时间为长。

7.如权利要求3所述的磷化镓发光组件的制造方法，其特征在于，将前述周围环境气氛之氨浓度保持在第一浓度(设定成较前述临界浓度为低)之后，增加至第二浓度(设定成较前述临界浓度为高)，而后保持于该第二浓度。

8.如权利要求4所述的磷化镓发光组件的制造方法，其特征在于，将前述周围环境气氛之氨浓度保持在第一浓度(设定成较前述临界浓度为低)之后，增加至第二浓度(设定成较前述临界浓度为高)，而后保持于该第二浓度。

9.如权利要求5所述的磷化镓发光组件的制造方法，其特征在于，将前述周围环境气氛之氨浓度保持在第一浓度(设定成较前述临界浓度为低)之后，增加至第二浓度(设定成较前述临界浓度为高)，而后保持于该第二浓度。

10.如权利要求6所述的磷化镓发光组件的制造方法，其特征在于，将前述周围环境气氛之氨浓度保持在第一浓度(设定成较前述临界浓度为低)之后，增加至第二浓度(设定成较前述临界浓度为高)，而后保持于该第二浓度。

11.如权利要求3至10任一项所述的磷化镓发光组件的制造方法，其特征在于，前述临界浓度系前述突起状缺陷之形成起点的氮化硅粒子在前述镓溶液中开始晶析之周围环境气氛中之氨浓度。

12.如权利要求1所述的磷化镓发光组件的制造方法，其特征在于，前述镓溶液系保持成与石英治具相接之形态。

13.如权利要求12所述的磷化镓发光组件的制造方法，其特征在于，作为前述磷化镓单结晶基板系使用n型之物，前述石英治具系作为n型掺杂物之硅的供给源来作用，于前述磷化镓单结晶基板之前述第一主表面上依序进行来自前述磷化镓溶液之n型磷化镓层、n型之低浓度层以及p型磷化镓层的液相磊晶生长。

14.如权利要求13所述的磷化镓发光组件的制造方法，其特征在于，前述磷化镓单结晶基板之前述第一主表面侧与对向之石英治具之间系夹着镓溶液层而保持着，于受到保持之镓溶液层的外周面系接触前述周围环境气氛。

15.一种磷化镓发光组件的制造装置，系于磷化镓单结晶基板之第一主表面上形成氮掺杂之磷化镓层；其特征在于，

具有一生长容器(具备氨气供给部)，于该生长容器内，系让前述磷化镓单结晶基板之前述第一主表面侧接触于镓溶液，且对与该镓溶液相接之周围环境气氛供给来自前述氨气供给部之氨气，以进行前述氮掺杂之磷化镓层的液相磊晶生长，同时，设有一氨气供给量控制部，其以让前述周围环境气氛之氨浓度做阶段性或连续性增加的方式来控制来自前述氨气供给部之氨气的供给量。