[发明专利]形成沟道金属氧化物半导体器件和端子结构的方法

权利要求书

1.一种同时制造沟道MOS器件和端子结构的方法，所述方法包括以下步骤：

提供半导体衬底；

形成：多个第一沟道，用于在半导体衬底的有源区内形成所述沟道MOS器件；以及第二沟道，用于从所述有源区的边界到所述半导体衬底的边缘形成所述端子结构，利用台地将所述第二沟道与所述第一沟道隔开；

进行热氧化工艺以在所述半导体衬底的所有各区形成栅氧化物；

利用第一导电材料回填所述多个第一沟道和所述第二沟道；

利用所述台地的所述半导体衬底的表面作为蚀刻阻挡层进行深蚀刻工艺，并在所述第二沟道的侧壁上形成间隔物；

利用所述台地的所述半导体衬底的所述表面作为蚀刻阻挡层，去除所述栅极氧化层；

在所述半导体衬底的所有各区形成端子结构氧化层；

在所述端子结构氧化层上形成光刻胶图形以限定绝缘区并暴露出从所述有源区到所述间隔物的区域；

利用所述光刻胶图形作为掩模，蚀刻掉所述暴露区；

剥离所述光刻胶图形；

去除所述半导体衬底背面的多余层以暴露出所述半导体衬底；

在所述半导体衬底的所有各区上形成第二导电材料；

在所述第二导电材料上形成光刻胶图形以确定电极；以及

刻蚀掉所述第二导电材料的暴露部分以形成所述电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底包括第一层和基础衬底，所述第一层轻掺杂有第一导电类型杂质，所述基础衬底重掺杂有第一导电类型杂质，所述第一沟道和所述第二沟道形成在所述第一层内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中沿所述有源区到所述第二沟道方向看所述台地的宽度约在0.2μm至4.0μm之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成多个第一沟道和第二沟道的步骤包括以下步骤：

在所述半导体衬底上形成氧化层；

在所述氧化层上形成光刻胶图形以限定所述多个第一沟道和所述第二沟道；

进行各向异性蚀刻以将所述光刻胶图形转印为所述氧化层；

去除所述光刻胶图形；

利用所述氧化层作为坚固掩模，进行各向异性蚀刻以蚀刻掉所述半导体衬底；以及

去除所述氧化层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一沟道和所述第二沟道的深度约在0.4μm至10μm之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极氧化层约在150埃至3000埃之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电材料是从包括金属、多晶硅和非晶硅的组中选择的材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述端子结构氧化层是从包括HTO、LPTEOS、PETEOS以及O₃-TEOS的组中选择的。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述背面多余层包括位于所述半导体衬底背面的所述栅极氧化层，所述第一导电材料以及所述端子结构氧化层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成光刻胶图形以限定电极的步骤是确定阳极。

11.根据权利要求2所述的方法，其中所述在所有各区形成第二导电材料的步骤是在所述第一层上形成阳极和在所述半导体衬底的所述背面形成阴极。

12.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述阳极以接触所述有源区和所述间隔物，并延伸所述阳极以在部分所述蚀刻端子结构氧化层上形成以致耗尽区的弯曲区离开所述有源区至少2.0μm。