[发明专利]制造石英晶体振荡器的方法及由该方法制造的石英晶体振荡器无效
申请号: | 01142253.X | 申请日: | 2001-09-20 |
公开(公告)号: | CN1388645A | 公开(公告)日: | 2003-01-01 |
发明(设计)人: | 金钟泰;崔厚男;尹锦荣;李钟泌 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/19 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 谢丽娜,谷惠敏 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 石英 晶体振荡器 方法 | ||
1.一种制造石英晶体振荡器的方法,包括以下步骤:
形成陶瓷基底,其中沿第一陶瓷层的上表面的周边依次叠置第二陶瓷层和第三陶瓷层,所述陶瓷基底具有顶部空腔,其中所述顶部空腔由所述第二陶瓷层和所述第三陶瓷层环绕,所述第二陶瓷层和所述第三陶瓷层经过冲压形成从所述第二陶瓷层的一侧局部伸出的突起部分,并且所述第二陶瓷层在突起部分上具有预定的电极端子;
制备具有预定电极图案的石英晶体振荡片;
在所述第二陶瓷层的突起部分上的每个所述电极端子的上表面上设置多个金属块;
将所述石英晶体振荡片定位在陶瓷基底的所述顶部空腔内,并且使所述石英晶体振荡片与所述金属块电连接,从而使所述石英晶体振荡片的除了电极端子之外的其余部分与所述陶瓷基底间隔一个间隙;和
用陶瓷盖密封所述陶瓷基底。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属块是金块。
3.根据权利要求1所述的方法,其中对应于所述振荡片的每个电极端子,形成在陶瓷基底的每个所述突起部分的电极端子上表面上的金属块的数量是两个或更多。
4.根据权利要求1所述的方法,其中形成在陶瓷基底的所述电极端子上的所述金属块占据振荡片的所述电极端子的整个面积的至少20%。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述金属块以锯齿形排列形成在所述陶瓷基底的每个电极端子上。
6.根据权利要求1所述的方法,其中每个所述金属块具有平滑的上表面。
7.根据权利要求6所述的方法,其中每个所述金属块是这样形成的:将金属线放置在所述陶瓷基底的预定位置,在施加超声波条件下压挤所述金属线,并且在压挤所述金属线的顶端之前将所述金属线向上拉,以便形成每个所述金属块的平滑上表面。
8.根据权利要求7所述的方法,其中每个所述金属块是这样形成的:在以大约300℃或更低的温度加热金属块和对金属块施加大约2W或更低的电流的同时,对金属块施加大约250g或更低的压力并对金属块施加超声波大约50msec或更短时间。
9.根据权利要求8所述的方法,其中以大约150~250℃的温度加热每个所述金属块。
10.根据权利要求6所述的方法,其中每个所述金属块具有平滑的顶部和平滑的底部,所述顶部的体积小于所述底部的体积。
11.根据权利要求10所述的方法,其中每个金属块的所述平滑底部具有一种大约50μm或更小的直径和大约40~90μm高度的大致圆柱形的形状。
12.根据权利要求1所述方法,其中所述石英晶体振荡片是通过在对所述片施加超声波造成的机械摩擦力的同时,将所述片压到金属块上,从而使所述片的电极端子电连接到所述金属块而安装到所述陶瓷基底的。
13.根据权利要求12所述的方法,其中在以大约300℃或更低的温度加热所述片并对所述片施加大约2W或更低的电流的同时,在施加超声波的条件下对所述振荡片施加大约2kgf或更低的压力大约230msec或更短的时间。
14.根据权利要求1所述的方法,其中所述振荡片与所述第一陶瓷层的上表面之间的间隙是大约10~40μm。
15.根据权利要求1所述的方法,其中所述石英晶体振荡器是音叉型振荡器。
16.一种制造石英晶体振荡器的方法,包括步骤:
形成陶瓷基底,其中沿第一陶瓷层的周边叠置第二陶瓷层,所述陶瓷基底具有顶部空腔,其中所述顶部空腔由经过冲压形成边框的所述第二陶瓷层环绕,并且所述第一陶瓷层在希望的位置上具有预定的电极端子;
制备具有多个电极图案的石英晶体振荡片;
在所述第一陶瓷层的每个电极端子上设置多个金属块;
将所述石英晶体振荡片定位在所述陶瓷基底的顶部空腔内,并且使所述石英晶体振荡片与所述金属块电连接,从而使所述石英晶体振荡片的除了所述电极端子之外的其余部分与所述陶瓷基底间隔一个间隙;和
用陶瓷盖密封所述陶瓷基底。
17.根据权利要求16所述的方法,其中所述金属块是金块。
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