[发明专利]螺旋接触器及该装置制造方法,以及应用该装置的半导体检测设备和电子元件无效
申请号: | 01142281.5 | 申请日: | 2001-09-26 |
公开(公告)号: | CN1347143A | 公开(公告)日: | 2002-05-01 |
发明(设计)人: | 平井幸广;上田千寿;吉田光一 | 申请(专利权)人: | 平井幸广 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/66;G01R1/06;G01R31/26;G01R31/28 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马娅佳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 螺旋 接触器 装置 制造 方法 以及 应用 半导体 检测 设备 电子元件 | ||
1、一种螺旋接触器,其特征在于:利用焊球作为接触器与半导体装置或电子元件的电性连接,用于制造和从俯视图看具有螺旋状的螺旋探针用于连接凸起的焊球,以根据焊接探针形状来延展。
2、如权利要求1所述的螺旋接触器,其特征在于:所述的绝缘基底具有对应所述的螺旋探针下方凹陷处或穿设孔而延展的结构。
3、如权利要求2所述的螺旋接触器,其特征在于:以垂直配线法在穿设孔内部制造出一载流电路。
4、如权利要求1到3中任一项所述的螺旋接触器,其特征在于:一个或多个电容器排列于所述的螺旋探针的周围,以使所述的电容器与螺旋探针作机械性及电性连接。
5、如权利要求1到4中任一项所述的螺旋接触器,其特征在于:在所述的焊球下方施加线圈弹簧状的弹性体或弹性薄膜。
6、如权利要求1到5中任一项所述的螺旋接触器,其特征在于:所述的螺旋探针的螺旋部具有从线圈内部核心向外逐渐变窄的宽度。
7、如权利要求1到6中任一项所述的螺旋接触器,其特征在于:通过环绕于螺旋接触器周围的导架来提供绝缘特性以获得较精确的测量。
8、如权利要求1到7中任一项所述的螺旋接触器,其特征在于:将配置于升高的绝缘基底的所述的螺旋探针形成凸状。
9、一种采用根据权利要求1到8中任一项所述的螺旋接触器的半导体检测装置,其特征在于:在检测时,具有焊球的半导体装置载入半导体检测装置的适当位置并且具有感应器用于通过适当压力来检测接触。
10、一种采用根据权利要求9所述的螺旋接触器的半导体检测装置,其特征在于:具有一密封剂贴附于半导体检测装置的绝缘基底中的所述的半导体装置。
11、一种采用根据权利要求10所述的螺旋接触器的半导体检测装置,其特征在于:提供气压式检测器以通过排出所述的半导体检测装置的绝缘基底与所述的半导体装置之间的空气来发出信号来检测减少的气体。
12、一种采用根据权利要求9到11中任一项所述的螺旋接触器的半导体检测装置,其特征在于:具有通过切割器切割晶圆之后完成每个半导体装置及探测卡的配置的方法。
13、一种采用根据权利要求9到12中任一项所述的螺旋接触器的半导体检测装置,其特征在于:螺旋接触器配置于所述的绝缘基底的两侧。
14、一种采用根据权利要求1到8中任一项所述的螺旋接触器的电子元件,其特征在于:在所述的绝缘基底的一端或两端配置螺旋接触器。
15、一种采用根据权利要求1到8中任一项所述的螺旋接触器的电子元件,其特征在于:在连接器缆线的至少一端中配置一个螺旋接触器。
16、一种形成螺旋接触器的制造方法,其中在印刷线路板的表面上排列大量的螺旋探针以电性连接具有焊球的半导体装置或电子元件,其特征在于:具有:
在绝缘基底上穿设孔洞以在所述的绝缘基底的整个表面上形成金属薄膜的过程;
在所述的孔洞中填入弹性体以通过表面加工来去除陷入及凸出的部分的过程;
在所述的孔洞中露出弹性体的至少一部份形成金属薄膜的过程;
通过腐蚀形成有所述的金属薄膜的绝缘基底表面以形成螺旋探针外型的薄膜,并且通过腐蚀下表面以形成环形薄膜的过程;
通过腐蚀所述的绝缘基底表面以形成螺旋探针的过程;
在所述的绝缘基底表面上形成不同种类的金属薄膜的过程;
在所述的绝缘基底表面上形成阻剂薄膜以通过覆盖处理来形成导架的过程。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于平井幸广,未经平井幸广许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01142281.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:远程半导体测试方法和装置
- 下一篇:无级变速器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造