[发明专利]硅片的制造方法和硅片

权利要求书

1.一种硅片的制造方法，其特征在于：具有在气氛气体中热处理硅片，在内部新形成空位的热处理工序，上述热处理工序的上述气氛气体含有比N₂可能分解的温度还低的分解温度的氮化气体。

2.按照权利要求1所记载的硅片的制造方法，其特征在于：在该硅片的制造方法中，上述氮化气体含有NH₃。

3.按照权利要求2所记载的硅片的制造方法，其特征在于：在该硅片的制造方法中，使上述氮化气体的上述NH₃的浓度在0.5％以上或NH₃的流量在10sccm以上。

4.按照权利要求1所记载的硅片的制造方法，其特征在于：在该硅片的制造方法中，上述氮化气体被等离子化。

5.按照权利要求1所记载的硅片的制造方法，其特征在于：在该硅片的制造方法中，上述热处理的温度为从900℃到1200℃的温度，上述热处理的时间为60sec以下。

6.按照权利要求1所记载的硅片的制造方法，其特征在于：在该硅片的制造方法中，在上述热处理工序前，具有将上述硅片表面的氧化膜去除或者薄膜化的氧化膜去除工序。

7.按照权利要求6所记载的硅片的制造方法，其特征在于：在该硅片的制造方法中，上述氧化膜去除工序在上述气氛气体中含有NH₃时，至少将上述氧化膜去除到膜厚不足2nm。

8.按照权利要求1所记载的硅片的制造方法，其特征在于：在该硅片的制造方法中，上述热处理工序将上述硅片配置于实施上述热处理的反应室内，进行将该反应室内的气氛气体中所含的氧去除的净化处理后，将含上述氮化气体的气氛气体向反应室内供给。

9.按照权利要求1所记载的硅片的制造方法，其特征在于：在该硅片的制造方法中，在上述热处理工序后，具有在比该热处理工序还低的温度下将上述硅片热处理，在表层形成无缺陷层的同时，在内部的空位中使氧析出的析出处理工序。

10.一种硅片，它是通过热处理在内部新形成空位的硅片，其特征在于：是根据权利要求1所记载的硅片的制造方法而制造的。

11.一种硅片，它是通过热处理在内部新形成空位的硅片，其特征在于：在上述热处理时，在其表面具有使表面氮化的硅氧化氮化膜。

12.按照权利要求11所记载的硅片，其特征在于：在该硅片中，至少在表层形成无缺陷层的同时，在内部的上述空位中析出氧。