[发明专利]像素暗点化方法

说明书

                         技术领域

本发明涉及像素暗点化方法，通过每个像素中设置的薄膜晶体管控制向对应的像素电极施加的电压来使显示装置中的不良像素暗点化。

                         背景技术

以往，作为平面显示器，有液晶显示器(LCD)，由于它具有消耗功率低、薄型的优点，所以被广泛用作各种电气设备的显示装置。

作为这种LCD，与配置成矩阵状的各像素相对应地设置薄膜晶体管(TFT)，通过该薄膜晶体管的导通截止来控制对应像素的显示的有源矩阵型的液晶显示器居多。

可是，在这样的有源矩阵型的LCD中，在制造工艺中，在薄膜晶体管发生不良的情况下，例如如果发生漏泻电流时则该像素不能进行显示。此外，因辅助电容电极和辅助电容线的短路，该像素也不能进行显示。因此，产生1像素单位中的不良(点缺陷)。

在这样的1像素单位不良的情况下，存在如果该点是暗点(黑色)，则不明显，而如果该点是亮点(白色)，那么在周围像素为黑色显示等情况下就会十分明显这样的问题。因此，对于不良像素来说，有暗点化的要求。

在扭曲向列(TN)LCD中，在形成主流的普通白色模式的LCD中，对于操作不良的像素来说，需要将导通电压常时施加在液晶上，使显示为黑色。因此，将TFT和像素电极之间的连接切断，并且使保持施加电压的辅助电容的两电极短路，从而将电压常时施加在像素电极上。

另一方面，随着显示器的大型化，正在推进需要宽视野的显示，显示的视野依赖性小的垂直取向型LCD的开发。该垂直取向型LCD为普通黑色模式的显示。因此，在这样的普通黑色模式的LCD中，也需要适当地修复点缺陷。

本发明的目的在于，提供在普通黑色的LCD中，对操作不良的像素进行有效地暗点化的方法。

                         发明内容

本发明的像素暗点化方法，通过对每个像素设置的薄膜晶体管来控制施加到对应的像素电极的电压，从而进行显示装置中的不良像素的暗点化，其特征在于，在连接所述薄膜晶体管的电极和像素电极的触点附近，通过用激光切断像素电极的一部分，来断开触点和像素电极，使对应像素暗点化。

这样，在本发明中，通过激光来切断连接触点和像素电极的部分。因此，可以使像素电极可靠地处于开路状态，防止将电压施加在像素电极上，可以使对应像素暗点化。

而且，通过激光来切断所述触点附近的所述薄膜晶体管的电极，最好将触点和薄膜晶体管也分离。这样，使触点的薄膜晶体管侧也被切断，使触点完全电隔离，可以更可靠地防止通过触点对像素电极施加电压。此外，即使在与辅助电容线产生短路的情况下，也能够可靠地防止通过薄膜晶体管对数据线施加辅助电容线的电压。

所述显示装置最好是普通黑色型的液晶显示装置。

本发明的特征在于包括按上述方法进行暗点化的像素的液晶显示装置。因此，在使像素电极开路的状态情况下能够进行暗点化。

                        附图说明

图1是表示实施例的结构平面图。

图2是表示等效电路的图。

图3是图1中的A-A’剖面图。

图4是表示另一实施例的结构平面图。

                       具体实施方式

以下，参照附图来说明本发明的实施例。

图1是说明进行本发明的暗点化的像素结构的平面图。垂直方向的数据线10和水平方向的栅极线12分别相距规定间隔配置多个，它们围成的区域为一个像素。在数据线10上，在像素的上部的数据线10和栅极线12的交点附近，连接与数据线12平行延伸的多晶硅层20的一端。在多晶硅层20的下面，配置从栅极线12突出形成的栅电极22。在本例中，栅电极22形成两个，在多晶硅层20的与这些栅电极22对应的位置上设置不掺杂的沟道区域，形成双栅极型的薄膜晶体管(TFT)24。即，在本例中，TFT24是N沟道型的，多晶硅层20的数据线侧10为TFT24的漏极，相反侧为源极。TFT24也可以采用P沟道型。在图中，将与TFT24对应的区域用虚线的四角表示。

TFT24的源极通过触点26连接到ITO(Indium Tin Oxide)组成的像素电极28。像素电极28在图1的例中除了形成TFT24的区域以外，形成在由数据线10和栅极线12围成的像素区域的大致整个面上。然后，通过对该像素电极28施加电压，将电压施加到像素电极28和对置的公用电极(图中纸面的里侧)之间存在的液晶上，来控制每个像素的显示。