[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

基片；

多个像素，每个像素包含在所述基片之上以矩阵形式排列的第一薄膜晶体管；

至少一个用于驱动所述多个像素的驱动电路，其包含多个在所述基片之上形成的第二薄膜晶体管；

包含多个在所述基片之上形成的第三薄膜晶体管的存储器，

其中所述第一、第二和第三薄膜晶体管中的每一个包含沟道，所述沟道含有沿平行于所述基片的方向延伸的结晶硅。

2.一种半导体器件，其包括：

基片；

多个像素，每个像素包含在所述基片之上以矩阵形式排列的第一薄膜晶体管；

至少一个用于驱动所述多个像素的驱动电路，其包含多个在所述基片之上形成的第二薄膜晶体管；

包含多个在所述基片之上形成的第三薄膜晶体管的校正存储器，

其中所述第一、第二、第三和第四薄膜晶体管中的每一个包含沟道，所述沟道含有沿平行于所述基片的方向延伸的结晶硅。

3.一种半导体器件，其包括：

基片；

多个像素，每个像素包含在所述基片上以矩阵形式排列的第一薄膜晶体管；

至少一个用于驱动所述多个像素的驱动电路，其包含多个在所述基片之上形成的第二薄膜晶体管；

中央处理器，其包含多个在所述基片之上的第三薄膜晶体管，操作上与所述驱动电路连接，

其中所述第一、第二、第三和第四薄膜晶体管中的每一个包含沟道，所述沟道含有沿平行于所述基片的方向延伸的结晶硅。

4.一种半导体器件，其包括：

基片；

多个像素，每个像素包含在所述基片之上以矩阵形式排列的第一薄膜晶体管；

至少一个用于驱动所述多个像素的驱动电路，其包含多个在所述基片之上形成的第二薄膜晶体管；

输入端，其包含多个在所述基片之上的第三薄膜晶体管，操作上与所述驱动电路连接，

其中所述第一、第二、第三和第四薄膜晶体管中的每一个包含沟道，所述沟道含有沿平行于所述基片的方向延伸的结晶硅。

5.一种半导体器件，其包括：

基片；

多个像素，每个像素包含在所述基片之上以矩阵形式排列的第一薄膜晶体管；

至少一个用于驱动所述多个像素的驱动电路，其包含多个在所述基片之上的第二薄膜晶体管；

存储器，其包含多个在所述基片之上的第三薄膜晶体管，

其中所述第一、第二、第三和第四薄膜晶体管中的每一个包含结晶硅，所述结晶硅是通过下列步骤形成的：

在所述基片之上形成非晶硅膜；

通过施加到所述非晶硅的第一能量，形成与所述非晶硅接触或在所述非晶硅之内的晶核；

通过施加到所述基片的第二能量，沿平行于所述基片的方向由所述晶核生长晶体。

6.一种半导体器件，其包括：

基片；

多个像素，每个像素包含在所述基片之上以矩阵形式排列的第一薄膜晶体管；

至少一个用于驱动所述多个像素的驱动电路，其包含多个在所述基片之上的第二薄膜晶体管；

校正存储器，其包含多个在所述基片之上的第三薄膜晶体管，

其中所述第一、第二、第三和第四薄膜晶体管中的每一个包含结晶硅，所述结晶硅是通过下列步骤形成的：

在所述基片之上形成非晶硅膜；

通过施加到所述非晶硅的第一能量，形成与所述非晶硅接触或在所述非晶硅之内的晶核；

通过施加到所述基片的第二能量，沿平行于所述基片的方向由所述晶核生长晶体。